毕业设计（论文）4H-SiC功率肖特基势垒二极管(SBD)和结型势垒肖特基(JBS)二极管的研究.pdfVIP

西安电子科技大学 博士学位论文 4H-SiC功率肖特基势垒二极管（SBD）和 结型势垒肖特基（JBS ）二极管的研究 作者：陈丰平 导师：张玉明教授 学科：微电子学与固体电子学 中国•西安 2012年1月 嬲螂 Study on 4H-SiC Power Schottky Barrier Diode (SBD) and Junction Barrier Schottky (JBS) Diode By Chen Fengping A dissertation submitted to Xidian University in partial fulfillment for the degree of Doctor of Philosophy in Microelectronics and Solid-State Electronics Written under the direction of Professor ZHANG Yuming Xian, P. R. China January, 2012 7 作者简介 陈丰平，浙江杭州人。2006年7月毕业于西安电子科技大 学，获学士学位。2006年8月入西安电子科技大学攻读硕士学 位，2008年3月提前攻读博士学位，并于2012年3月获西安 电子科技大获工学博士学位。导师：张玉明教授。 主要研究方向：4H-SiC材料，4H-SiC功率二极管的结构 和仿真，4H-SiC器件工艺等。 代表性成果及经历：已在《中国物理B》、 《半导体学报》、 EDSSC 2010等权威、核心刊物和学术会 发表学术论文11篇。获得授权发明专 利1项，申请受理发明专利4项。参与陕西13115创新工程项目1项，国家自然 基金项目1项，以及教育部重点实验室基金1项。 Chen Fengping, was bom in Hangzhou, Zhejiang Province, China, in 1983. He received his B.A. in Microelectronics from Xidian University, Xian, China, in 2006. Then he studied at Xidian University since August 2006 for a Masters degree, becoming a doctoral candidate in March 2008, and conferred a Ph.D. de