第一章半导体物理基础课件.pptxVIP

Physics ofSemiconductor Devices 解光军 教授 研究生院学科建设办公室主任 霍英东青年教师奖获得者 安徽省高校中青年学科带头人培养对象 第七届安徽省优秀青年 教育经历 1988-1992，合肥工业大学，本科 1992-1995，合肥工业大学，硕士 1999-2002，中国科技大学，博士 2003-2005 ，中国科技大学，博士后 科研方向 集成电路设计、量子信息处理 集成电路设计研究中心 / 主讲教师 Brussel，2007 主要讲授内容 1、半导体物理基础 2、PN结 3、双极结型晶体管 4、金属-半导体结 5、JFET和金属-半导体场效应晶体管 6、MOS场效应晶体管 Physics ofSemiconductor Devices Physics ofSemiconductor Devices 课程要求 A掌握半导体器件的原理、特点及应用 A学习分析各类半导体器件的方法 A提高解决实际问题的能力(器件设计) A要求 v平时成绩 30% (作业20％＋实验10％) v期末考试 70％ 刘树林，半导体器件物理，电 子工业出版社， 2005 曹培栋，微电子技术基础—双 级、场效应晶体管原理，电子 工业出版社， 2001 陈星弼，唐茂成，晶体管原理 与设计，成都电讯工程学院出 版社， 1987 张屏英，周佑谟，晶体管原理， 上海科学技术出版社， 1985 M. Shur, Introduction to Electronic Devices, John Wiley, 1996 References Robert F. Pierret, Advanced Semiconductor Fundamentals, 2nd Y. Taur T. K. Ning, Devices, Cambridge Univ. Press, 1998 Physics ofSemiconductor Devices Fundamentals of Modern VLSI Semiconductor Devices, 2nd Ed, S. M. Sze, Physics of Ed, Prentice Hall, 2002 Wiley, 1981 半导体器件物理 作者： 孟庆巨刘海波 出版社： 科学出版社 出版日期： 2005-6-2 ISBN：7030139518 版次：第1版 Physics ofSemiconductor Devices 晶体管原理与设计(第2版) 作者：陈星弼//张庆中 出版社：电子工业 第1版 第2次印刷 ISBN：7121022680 出版日期： 2006-02-01 Physics ofSemiconductor Devices Physics ofSemiconductor Devices 出版社： 电子工业出版社 ISBN ：7505379623 印次： 1 出版日期： 2002-9-1 版次： 1 半导体器件电子学(英文版) 作者：(美)沃纳，格朗 著 Physics ofSemiconductor Devices 出版社： 电子工业出版社 ISBN ：7121008823 印次： 1 出版日期： 2005-2-1 字数： 1069000 版次： 1 作者：(美)沃纳，(美)格朗 著，吕长志 等译 半导体器件电子学—— 国外电子与通信教材系列 Physics of Semiconductor Devices by Simon M. Sze Wiley-Interscience; 2 edition (September 1981) Physics ofSemiconductor Devices Advanced Semiconductor Fundamentals (2nd Edition) by Robert F. Pierret Prentice Hall; 2 edition (August 9, 2002) Physics ofSemiconductor Devices 课程网址 /2006/psd/ 11 *半导体中的电子和空穴 /半导体的结构 /半导体的能带 /半导体中的载流子 /半导体的类型及其掺杂 /半导体中载流子的统计 *半导体中载流子的输运 /漂移和扩散 /产生和复合 /迁移率、扩散系数 /速度饱和 半导体器件物理基础 Physics ofSemiconductor Devices 半导体器件 *据统计：半导体器