一种深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质.pdfVIP

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2023-11-11 发布于四川
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一种深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

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本申请提供了一种深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体技术领域，该方法包括：对待隔离芯片进行刻蚀以及线形氧化层生成处理获得待填充芯片；将待填充芯片置于具有预设压力及预设温度的沉积设备中；按照设定比率以及设定载气流量为沉积设备提供臭氧、正硅酸四乙酯及载流气体，利用臭氧与正硅酸四乙酯在沉积设备中发生的沉积反应，在待填充芯片的深沟槽中形成氧化硅薄膜；对形成氧化硅薄膜的芯片进行回刻蚀及注入处理，获得经深沟槽隔离后的芯片。通过采用上述深沟槽隔离方法、装置、电子设备及存储介质，解决了由于沟槽底

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117038573 A (43)申请公布日 2023.11.10 (21)申请号 202311302480.2 (22)申请日 2023.10.10 (71)申请人粤芯半导体技术股份有限公司地址