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本公开是关于一种磁控溅射镀膜装置及薄膜制备方法。磁控溅射镀膜装置包括传递仓、镀膜仓、可开合的连通部以及传递部。镀膜仓内设有供电端、靶位组件和基底组件,供电端与靶位组件和基底组件分别电连接。连通部设于传递仓和镀膜仓之间,用于连通或阻断传递仓和镀膜仓。传递部可活动地设于传递仓和镀膜仓。薄膜制备方法包括对镀膜仓抽真空;对基底进行物理清洗;将基底放入传递仓中的传递部,对传递仓抽真空;打开连通部,将基底运输至镀膜仓;对基底进行化学清洗;对靶材进行预溅射;在基底表面沉积薄膜。本公开提供的磁控溅射镀膜装置和薄
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117026194 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311150986.6
(22)申请日 2023.09.07
(71)申请人 之江实验室
地址 311121
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