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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明公开一种基于渐变超晶格空位缓冲层GaN基HEMT外延结构，属于半导体技术领域，包括从下至上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层一、AlGaN层二、栅极边缘介质钝化层、源极和漏极，源极与漏极之间还设置有栅极、第二钝化层，在本发明中，在栅极边缘沉积介质钝化，可以改善栅极电流的泄漏，提高击穿特性；通过降低AlGaN势垒层顶部的Al组份来提高介电常数，降低了AlGaN材料顶部的极化电荷，使栅极靠近漏端的电场减小，栅极和漏极之间的电场分布更加均匀；上方的第二钝化层的张应力补偿下
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038724 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311010013.2
(22)申请日 2023.08.11
(71)申请人 西安电子科技大学
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