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- 2023-11-11 发布于四川
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本发明涉及图像传感器领域,特别是涉及一种图像传感器及其制备方法。图像传感器包括:半导体衬底层;金属‑绝缘体‑金属电容层,设置于半导体衬底层的下表面,金属‑绝缘体‑金属电容层的上极板与重掺杂离子注入区连接,金属‑绝缘体‑金属电容层的下极板接地;金属走线层,设置于金属‑绝缘体‑金属电容层的下表面;背侧深沟槽隔离层,刻蚀半导体衬底层的未掺杂硅区;高介电材料及氧化物层,设置于半导体衬底层和背侧深沟槽隔离层的上表面;金属网格区,设置于高介电材料及氧化物层的上表面;彩膜层,设置于高介电材料及氧化物层和金属网
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117038687 A
(43)申请公布日 2023.11.10
(21)申请号 202311020906.5
(22)申请日 2023.08.11
(71)申请人 合肥海图微电子有限公司
地址 2
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