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硅基β-FeSi2薄膜材料的制备、结构和光电性能研究的中期报告
Abstract
本中期报告主要介绍了我们在硅基β-FeSi2薄膜材料的制备、结构和光电性能研究方面的进展。通过DC磁控溅射技术,在p-Si(100)衬底上制备了不同厚度的β-FeSi2薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电镜和透射电子显微镜对薄膜结构进行了表征,并探究了不同厚度薄膜的晶体结构和形貌随着溅射条件的变化。同时,我们还使用电学测试仪和光学测试仪对薄膜的光电性能进行了研究,探究了不同厚度薄膜的光电学行为和光学特性。
Introduction
硅基β-FeSi2是一种具有良好光电特性和热稳定性的半导体材料,广泛应用于太阳能电池、传感器、光学器件等领域。在本研究中,我们采用DC磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上制备了β-FeSi2薄膜,并研究了其结构和光电性能。
Experimental
使用DC磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上制备了β-FeSi2薄膜。调节溅射参数,探究了不同厚度薄膜的晶体结构和形貌随着溅射条件的变化。使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对薄膜结构进行了表征。同时,使用电学测试仪和光学测试仪对薄膜的光电性能进行了研究。
Results and discussion
通过调节反应压力和溅射时间,制备了不同厚度的β-FeSi2薄膜。使用XRD对薄膜进行了分析,结果显示制备的薄膜为β-FeSi2结构。通过SEM和TEM观察到制备的薄膜表面光滑,没有显著的裂缝和缺陷。图1显示了不同厚度薄膜的SEM图像。
[Insert Figure 1 here]
电学测试结果显示,β-FeSi2薄膜的电阻率随着薄膜厚度的增加而降低,这意味着薄膜的导电性能随着厚度增加而提高。光学测试结果显示,β-FeSi2薄膜的吸收率和光致发光强度随着薄膜厚度的增加而增加,这意味着薄膜的光学性能随着厚度增加而提高。图2和图3分别显示了不同厚度薄膜的吸收率和光致发光强度随着波长的变化曲线。
[Insert Figure 2 and Figure 3 here]
Conclusion
通过DC磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上制备了β-FeSi2薄膜,并使用XRD、SEM和TEM对其结构进行了表征,结果显示制备的薄膜为β-FeSi2结构,表面光滑,没有显著的裂缝和缺陷。电学测试和光学测试表明,β-FeSi2薄膜的导电性能和光学性能随着薄膜厚度的增加而提高。这些研究结果为继续研究和优化硅基β-FeSi2薄膜的光电性能提供了重要的参考。
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