《半导体物理学》【ch05】 非平衡载流子 教学课件.pptxVIP

第五章半导体物理学非平衡载流子集成电路科学与工程系列教材 01非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子的注入与复合处于热平衡状态的半导体在一定温度下，载流子浓度是一定的。这种处于热平衡状态下的载流子浓度， 称为平衡载流子浓度，前面各章讨论的都是平衡载流子。用no 和po分别表示平衡电子浓度和空穴浓度，在非简并情况下，它们的乘积满足下式 非平衡载流子的注入与复合半导体的热平衡状态是相对的、有条件的。如果对半导体施加外界作用，破坏了热平衡的条件，这就迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比它们多出一部分。比平衡状态多出来的这部分载流子称为非平衡载流子，有时也称为过剩载流子。例如，在一定温度下，当没有光照时，一块半导体中的电子和空穴浓度分别为n0和p0,假设是n 型半导体，则n0》p0。当用适当波长的光照射该半导体时，只要光子的能量大于该半导体的禁带宽度，那么光子就能把价带电子激发到导带上去，产生电子一空穴对，使导带比平衡时多出一部分电子△n ，价带比平衡时多出一部分空穴△p。△n 和△ρ 就是非平衡载流子浓度，这时把非平衡电子称为非平衡多数载流子，而把非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对p 型材料则相反。 非平衡载流子的注入与复合 非平衡载流子的注入与复合在一般情况下，注入的非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多，对n型材料△n《n0 ，△ρ《n0，满足这个条件的注入称为小注入。例如，在1Ω? cm 的n 型硅中， n0≈5. 5 × 1015cm-3，p0≈3. 1 × 104cm-3 ，若注入非平衡载流子△n=△p =10 1 ° cm-3 △n《n0，是小注入，但是△ρ 几乎是p0的106 倍，即△p》p0。这个例子说明，即使在小注入的情况下，非平衡少数载流子浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大得多的， 它的影响就显得十分重要了，而相对来说非平衡多数载流子的影响可以忽略。所以实际上在在主非平衡少数载流子起着重要作用，通常说的非平衡载流子都是指非平衡少数载流子。 非平衡载流子的注入与复合图中电阻R 比半导体的电阻r 大得多，因此不论光照与否，通过半导体的电流I 几乎是恒定的。半导体上的电压降V = Ir。设平衡时半导体的电导率为的，光照引起的附加电导率为△δ， 小注入时δ0+△δ ≈δ0 ，因而电阻率改变 非平衡载流子的注入与复合其中1 、5 分别为半导体的长度和截面积。因为△r∝△δ，而△V = I △ r ，故△V∝△δ，因此△V∝△P。所以，从示波器上观测到的半导体上电压降的变化就直接反映了附加电导率的变化，也间接地检验了非平衡少数载流子的注入。 非平衡载流子的注入与复合要破坏半导体的平衡态，对它施加的外部作用可以是光的， 还可以是电的或其他能量传递的方式。相应地，除了光照， 还可以用其他方法产生非平衡载流子，最常用的是用电的方法，称为非平衡载流子的电注入。以后讲到的pn结正向工作， 就是常遇到的电注入。当金属探针与半导体接触时，也可以用电的方法注入非平衡载流子。当产生非平衡载流子的外部作用撤除以后，半导体中将发生什么变化呢？还是用光注入的例子来说明。在小注入的情况下， △ V的变化反映了△P的变化。实验发现，光照停止以后，△V很快趋于零，大约只要毫秒到微秒数量级的时间。这说明，注入的非平衡载流子并不能一直存在下去， 光照停止后，它们会逐渐消失，也就是原来激发到导带的电子又回到价带，电子和空穴又成对地消失了。 非平衡载流子的注入与复合最后， 载流子浓度恢复到平衡时的值，半导体又回到平衡态。由此得出结论，产生非平衡载流子的外部作用撤除后，半导体的内部作用使它由非平衡态恢复到平衡态，过剩载流子逐渐消失。这一过程称为非平衡载流子的复合。然而，热平衡并不是一种绝对静止的状态。就半导体中的载流子而言，任何时候电子和空穴总是不断地产生和复合， 在热平衡状态，产生和复合处于相对的平衡，每秒钟产生的电子和空穴数目与复合的数目相等，从而保持载流子浓度稳定不变。当用光照射半导体时，打破了产生与复合的相对平衡，产生超过了复合，在半导体中产生了非平衡载流子， 半导体处于非平衡态。 非平衡载流子的注入与复合当光照停止时，半导体中仍然存在非平衡载流子。由于电子和空穴的数目比热平衡时增大了，它们在热运动中相遇而复合的概率也将增大。这时复合超过了产生而造成一定的净复合，非平衡载流子逐渐消失， 最后恢复到平衡值，半导体又回到了热平衡状态。 02非平衡载流子的寿命 非平衡载流子的寿命上节已经说明，小注入时，△V的变化就反映了△p的变化。因此， 可以通过这个实验观察光照停止后，非平衡载流子放度△p 随时间变化的规律。实验表明，光照停止后，△p随时间按指数规律减小。这说明非平衡载流子并