CdTe多晶薄膜特性及CdSCdTe多晶薄膜界面研究的中期报告.docxVIP

CdTe多晶薄膜特性及CdSCdTe多晶薄膜界面研究的中期报告 本文的中期报告主要介绍了两部分内容：CdTe多晶薄膜特性和CdS/CdTe多晶薄膜界面研究。 首先，介绍了CdTe多晶薄膜的制备过程和表征结果。实验使用了磁控溅射技术，在玻璃基片上制备了CdTe多晶薄膜，并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等多种手段对CdTe多晶薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质进行了表征。结果表明，制备出的CdTe多晶薄膜具有完整的晶体结构和较高的光学吸收率，但受到制备条件的限制，表面存在一定程度的缺陷和粗糙度。 其次，研究了CdS/CdTe多晶薄膜界面的形成机制和其对光电性能的影响。实验使用了化学浴沉积法在CdTe多晶薄膜表面沉积了一层CdS薄膜，并利用X光电子能谱等技术对CdS/CdTe多晶薄膜界面进行了表征。研究结果表明，CdS/CdTe多晶薄膜界面呈锐利的p-n结形式，CdS薄膜的存在增强了CdTe多晶薄膜的光电性能，并且CdS/CdTe多晶薄膜的光电响应性能受CdS薄膜厚度的影响较大。 综上，本文中期报告探究了CdTe多晶薄膜的制备和表征，以及CdS/CdTe多晶薄膜界面形成机制和对光电性能的影响，研究结果为CdTe/CdS太阳能电池等相关研究提供了参考。