《半导体物理学》【ch12】半导体磁和压阻效应 教学课件.pptxVIP

第十二章半导体物理学半导体磁和压阻效应集成电路科学与工程系列教材 半导体磁和压阻效应导入从半导体基本研究和半导体的应用方面来看， 半导体在磁场中发生的各种效应也是很重要的， 这些效应包括：半导体在电场和磁场中表现出来的霍耳效应、磁阻效应，以及光照或存在温度梯度时所表现出来的磁光效应、光磁电效应、热磁效应等。本章对上述各种效应进行扼要的叙述。最后，简要介绍对半导体施加应力时产生的压阻效应。 01霍耳效应 霍耳效应把通有电流的半导体放在均匀磁场中，设电场沿x方向， 电场强度为§x；磁场方向和电场垂直， 沿z方向，磁感应强度为Be，则在垂直于电场和磁场的+y 或-y方向将产生一个横向电场§y， 这种现象称为霍耳效应。霍耳电场§y与电流密度Jx和磁感应强度Bz成正比，即比例系数RH 称为霍耳系数，即下面分析霍耳效应产生的原因及霍耳系数的值。 霍耳效应01一种载流子的霍耳效应12. 1. 1 一种载流子的霍耳效应图12- 1(a）、（b）分别表示p 型和n 型半导体的霍耳效应。设样品的温度是均匀的，而且为简单起见，认为所有载流子都具有相同的速度，即不考虑速度的统计分布。对p型半导体， 当沿+x方向加电场§x时，空穴漂移速度为Vx，电流密度Jx =pqvx 。在垂直磁场Be的作用下， 空穴受到洛伦兹力qv×B ， 方向沿-y方向，大小为qvxBz。空穴在洛伦兹力的作用下向-y 方向偏转， 如同附加一个横向电流，因而在样品两端引起电荷积累， A面积累了空穴，如图12 l(a）所示。这时，在＋y方向产生横向电场，当横向电场对空穴的作用与洛伦兹力作用相抵消时，达到稳定状态， 即稳定时霍耳电场应满足 霍耳效应01一种载流子的霍耳效应12. 1. 1 一种载流子的霍耳效应则与式（12-2）相比， 得单位为m 3 /C。对n型半导体， 电子漂移速度沿-x方向，洛伦兹力为-qv×B ，仍沿－y方向，但A面积累了电子，霍耳电场沿－y方向，如图12- 1(b）所示。稳定时，霍耳电场§y满足则 霍耳效应01一种载流子的霍耳效应12. 1. 1 一种载流子的霍耳效应与式(12-2）相比，得由上面的讨论可以看出,n型和p型半导体的霍耳电场方向相反，故霍耳系数的符号是相反的。横向霍耳电场的存在说明，在有垂直磁场时，电场和电流不在同一个方向，两者之间的夹角。称为霍耳角。稳定时,y方向没有电流，电流仍沿x方向，但是合成电场不再沿x方向。对p型半导体,§偏向+y方向，霍耳角为正，用θp表示；对n型半导体， §偏向-y方向，霍耳角θz是负的。由图12-1可以看到将式(12-4）或式(12 - 7）代入式(12 -9 ），并利用vx ＝μ§x，得 霍耳效应01一种载流子的霍耳效应12. 1. 1 一种载流子的霍耳效应 霍耳效应01一种载流子的霍耳效应12. 1. 1 一种载流子的霍耳效应霍耳角的符号和RH一样， p型为正，合成电场§转向＋y轴； n 型为负， §转向－y轴。实验中通常通过测量霍耳电压VH以求RH ，采用厚度和宽度比长度小得多的矩形样品，如图12-2所示。设样品长度为1 ，宽度为b ，厚度为d ，因为§y=VH/b,Jx=Ix/bd ，代入式(12-1）， 得 霍耳效应02载流子在电磁场中的运动12. 1. 2 载流子在电磁场中的运动本节根据载流子在两次散射之间在电磁场作用下的自由运动，再由多次散射过程中的平均运动进一步分析霍耳效应。设电子在电场强度为§,磁感应强度为B的电磁场中运动，电子的运动方程为可以证明，电子的运动由两部分组成：一是初速度为Vo的只在B作用下的运动；二是在§，B的共同作用下，但初速度为零的运动。第一部分是一个以B的方向为轴的螺旋运动，即沿着B方向的匀速运动和垂直于B方向的圆周运动的叠加。因为每次散射后的运动具有无规则性，所以这一部分运动的平均运动应为零。因此， 只需分析第二种运动，即认为每两次散射之间初速度都为零。 霍耳效应02载流子在电磁场中的运动12. 1. 2 载流子在电磁场中的运动设§=（ §x，§y, 0), B= (0, 0,Bz），则电子的运动方程［式(12-13 ）］为当t=0时， v=0， 可解得式中，w=qBz/m*。如选择x’、y’为轴，使§沿＋ x＇方向，即选§=(§z,0, 0 ）， 则式(12-15 ）可简化为 霍耳效应02载流子在电磁场中的运动12. 1. 2 载流子在电磁场中的运动式(12-16 ）的运动轨迹为它表示的是以x , y＇为轴的旋轮线（ Cycloid),如图12-3 中的曲线1所示。由式（ 4-38）可以计算多次散射后的平均速度为式中， N0为t=0时未遭散射的电子数， τ＝1/P为平均自由时间，其中假定T是常数。 霍耳效应02载流子在电磁场中的运动12. 1. 2 载流子在电磁场中的运动 霍