高介电常数栅介质薄膜的制备及物性研究的中期报告.docxVIP

高介电常数栅介质薄膜的制备及物性研究的中期报告 中期报告 1. 研究背景 高介电常数栅介质薄膜在微电子学领域的应用广泛，如集成电路中的互联线介质、金属电容器、场效应晶体管的栅氧化层等。栅介质薄膜的物性对这些器件的性能和可靠性有着重要的影响。因此，研究高介电常数栅介质薄膜的制备及物性具有重要意义。 2. 研究方法 本研究采用化学气相沉积法在硅衬底上制备高介电常数栅介质薄膜。首先，在反应室内分别放入二甲基铝、三乙酰丙酮和氧气气体，以160℃下进行预氧化处理。然后，将六氟化硅、氧气和二甲基铝等气体引入反应室，以600℃下沉积高介电常数栅介质薄膜。制备出的样品通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段进行物性表征。 3. 研究进展 在实验过程中，发现沉积温度对样品的物性有着重要的影响。当沉积温度为500℃时，得到的样品表面平整度较好，X射线衍射仪的测试结果显示样品为多晶体结构，介电常数达到了20左右，满足应用要求。而当沉积温度增加到600℃时，样品表面出现了晶粒堆积现象，介电常数将达到30左右。 此外，在制备过程中发现，反应室内的气氛对样品的形貌和物性也有较大影响。通过控制反应室内不同气体的流量和比例，可以对样品的物性进行调制。 4. 研究展望 在后续的研究中，将继续探究控制反应室气氛对样品物性的影响，并进一步优化制备工艺。同时，也将对制备出的样品进行更加深入的物性研究，探索其在微电子学领域的应用潜力。