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本发明涉及一种电子电路，该电子电路包括MOSFET类型的功率晶体管，该功率晶体管包括栅极，所述栅极连接至所述栅极的控制电路，该电子电路配置有：‑所述栅极的所述控制电路被配置成在称为非低温的环境温度的温度下操作，以及‑所述功率晶体管以及连接在所述栅极和所述控制电路之间的接口电路，该接口电路被配置成在低温温度下操作，所述接口电路的每个组件在距功率晶体管的最大距离处来建立，该电子电路还包括至少一个测量信号，该至少一个测量信号连接在在低温温度下操作的接口电路与在环境温度下操作的控制电路之间，以使得有可能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117081575 A
(43)申请公布日 2023.11.17
(21)申请号 202310552152.1 G01R 19/00 (2006.01)
(22)申请日 2023.05.
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