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- 2023-11-22 发布于四川
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本发明提供一种改善中压器件漏电流的方法，提供衬底，衬底上形成有STI以定义出中压器件的有源区，在有源区上形成有中压器件的栅极结构，栅极结构由栅极叠层以及位于栅极叠层两侧的侧墙组成；形成覆盖栅极结构的第一光刻胶层，光刻打开第一光刻胶层，以定义出栅极结构两侧有源区上部分的遮挡区域；分别对中压器件的有源区裸露的部分进行离子注入形成源、漏区，之后去除第一光刻胶层；在衬底上形成覆盖栅极结构的SAB膜层，在SAB膜层上形成第二光刻胶层，光刻打开第二光刻胶层使得其下方的SAB膜层裸露。本发明最终源漏区离子注入
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117096179 A
(43)申请公布日 2023.11.21
(21)申请号 202311085936.4
(22)申请日 2023.08.25
(71)申请人 上海华力集成电路
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