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一种单晶硅生长方法、生长设备及计算机存储介质.pdfVIP

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  • 2023-11-22 发布于四川
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一种单晶硅生长方法、生长设备及计算机存储介质.pdf

    本发明属于单晶生产技术领域，涉及一种单晶硅生长方法，包括如下步骤：在单晶生长阶段，通过调控导流筒与加热器之间的相对位置，以使V/G满足预设值。本发明的有益效果是，通过调整导流筒下沿与加热器顶部之间的垂直距离，对单晶拉制时的V/G进行调控，从而解决单晶缺陷问题，实现产品质量的提高。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117089922 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311063372.4 C30B 29/06 (2006.01) (22)申请日 2023.08.

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