ESD保护器件2 - 电子电气自动化.docxVIP

90%.主要特性出色的ESD保护特性极低容抗超快的响应速度(.5mm体积使其支持更高的保护级别,体积相比SOT23缩小了速瞬变（ 90%.主要特性出色的ESD保护特性极低容抗超快的响应速度( .5mm体积使其支持更高的保护级别,体积相比SOT23缩小了 速瞬变（EFT）、浪涌瞬变有出色表现。典型应用掌上电话手持设 来将电流导离较敏感的元件。也就是在电子系统的连接器或端口处放 ESD 保护器件 ESD保护器件概 述 ESD脉冲、电源瞬变、浪涌等现象是损坏芯片的主要原因。 NXP提供一个 新系列的 ESD保护二极管, 非常适用于对抗 ESD及其他电压突变脉冲。这些器 件最多可以保护 18 个数据通道，最大可抵抗 30kV的尖峰脉冲. 其引脚容抗仅 为 10pF，非常适合保护高速或高频（可达 200MHz以上）数据线，由于他们的 小体积及非常小的漏电流，他们非常适用于一些对空间及功耗要 求严格的场 合，如电池供电及手持设备。 PSED3V3L2U PESD5V0L2U市场中最先推出的无引脚封装的 ESD保护器 件, 超小的 SOT883封装, 支持 15kV 的保护级别, 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm 体 积使其支持更高的保护级别, 体积相比 SOT23缩小了 90%. 主要特性 出色的 ESD保护特性 极低容抗 超快的响应速度(1ns) 低钳位电压 超低漏电流 极小封装 IEC 61000-4-2,level 4 认证( 15 kV 非接触放电, 8 kV 接触放电) HBM MIL-Std 883, class 3 认证( 4 kV) 同时不会对电子系统的功能造成任何影响，这可以通过维持低电流以)HBMMIL-Std883,class3认证(4kV)通 同时不会对电子系统的功能造成任何影响，这可以通过维持低电流以 )HBMMIL-Std883,class3认证(4kV)通 间的小间隙会成为突波音隙阵列，从而带来低电阻路径。瞬态电压抑 的ESD冲击上升时间。众所周知，对于电子系统而言，它必须能够 通过此图，我们可以清晰看出， ESD保护器件在抑制 ESD、电气快速瞬变 （EFT）、浪涌瞬变有出色表现。 典型应用 掌上电话 手持设备 计算机及外设 通信系统 音频和视频设备 高速数据传输线 ESD 保护方法 为了给电子系统提供 ESD 保护，可以从不同的角度来着手。一种方法是 在半导体芯片内建 ESD 保护架构。不过，日趋缩小的 CMOS 芯片已 经越来越不足以承受进行内部 2 kV 等级的 ESD 保护所需要的面积。 安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权指出： 真正有效的 ESD 保护是不能完全集成到 CMOS 芯片之中的！ 幕截图和TLP进行ESD 幕截图和TLP进行ESD保护元件的大电流性能鉴定Ashton 功能。常见ESD保护元件分类来自美国的ESD保护专家Robe 方法为了给电子系统提供ESD保护，可以从不同的角度来着手。一 V)测试下，被测器件仍然符合其数据表规范，且器件特性没有显著 其次，也可以在物理电路设计方面下功夫，较敏感的电路元件应该尽量远 离通孔或接缝处，如果可能的话，线缆连接器的接地应该要在系统 信号引脚接触前先连接到系统的接地，通过这样的方式，线缆上所发生的放电事件就比较不会造成 干扰或破坏。 此外，软件也能够为 ESD 设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受 到 ESD 的冲击，造成接口电路的锁住情况，而能够感测锁住情况的 软件则可以用来重置接口电路且无须操作人员的介入。 不过，总是有部分电路点较为敏感，同时也很难与外部隔离。因此，最有 效的方法是使用保护元件来将电流导离较敏感的元件。也就是在电 子系统的连接器或端口处放置 ESD 保护元件，使得电流流经保护元件，且不流经敏感元件，以维 持敏感元件的低电压，使其免受 ESD 应力影响， 进入有效控制 ESD 事件的发生，如图 1 所示。当然，合格的 ESD 元件必须具有低泄漏和低电容，且在多重应力 作用下功能不下降，从而不降低 电路的功能。 常见 ESD 保护元件分类 来自美国的 ESD 保护专家 Robert Ashton 博士说，一般而言，ESD 保护元件的分类可以通过其保护策略与方向性来进行，主要包括压敏电阻、 聚合物和瞬态电压抑 制器(TVS) 等，如表 1 所示。在这几种保护元件中，压敏电阻在低电压时， 呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压 都相当低，同时电流也相当小； 而在较高电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。从表 1 中我们也可以看出压敏电阻 为双向保护元件。而对于带导电粒子的聚合物而言， 在正常电压下，这些材料拥有相当高的电阻，但当发生 E