ESD保护电路概况及其电路设计2 - 电子设计.docxVIP

EC1000-4-4电气快速瞬变/猝发模式测试标准是模拟产生部电路和外界隔离开1mm厚的普通塑料如 EC1000-4-4电气快速瞬变/猝发模式测试标准是模拟产生 部电路和外界隔离开1mm厚的普通塑料如PVC聚酯或ABS能够 XIM公司近几年发展了享有专利的集成ESD防护技术并可提供全 缺点外加器件仍会增加电路板面积防护器件的电容效应会增加信号线 ESD 静电放电给你的电子产品带来致命的危害不仅降低了产品的可靠性， 增加了维修 成本而且不符合欧洲共同体规定的工业标准 EN61000-4-2 就会影响产品在欧洲的销售， 所 以电子设备制造商通常会在电路设计的初期就考虑 ESD 保护电路，本文将讨论 ESD 保护 电路的几种方法。 1 ESD 的产生及危害 当两个物体碰撞或分离时就会产生静电放电 ESD 即静态电荷从一个物体移动到另一 个物体两个具有不同电势的物体之间产生静态电荷的移动，类似于一次很小的闪电过程放电 量的大小和放电持续时间取决于物体的类型和周围的环境等多种因素， 当 ESD 具有足够高 的能量时将造成半导体器件的损坏静电放电 ESD 可能随时发生例如插拔电缆或人体接触 器件的 I/O 端口或者是一个带电的物体接触半导体器件半导体器件触地以及静电场和电磁 干扰产生足够高的电压引起静电放电 ESD。 ESD 基本上可以分为三种类型，一是各种机器引起的 ESD ， 二是家具移动或设备移 动引起的 ESD ，三是人体接触或设备移动引起的 ESD ，所有这三种 ESD 对于半导体器 件的生产和电子产品的生产都非常重要电子产品的使用过程最容易受到第三种 ESD 的损 坏，便携式电子产品尤其容易受到人体接触 ESD 的损坏 ESD 一般情况下会损坏与之相连 的接口器件，另一种情况是遭受 ESD 冲击后的器件可能不会立即损坏而是性能下降导致产 品过早出现故障。 当集成电路 IC 经受 ESD 时放电回路的电阻通常都很小， 无法限制放电电流例如将带 静电的电缆，插到电路接口上时放电回路的电阻几乎为零造成可高达几十安培的瞬间放电尖 峰电流，流入相应的 IC 管脚瞬间大电流会严重损伤 IC 局部发热的热量甚至会融化硅片管 芯 ESD ， 对 IC 的损伤一般还包括内部金属连接被烧断钝化层被破坏晶体管单元被烧坏。 ESD 还会引起 IC 的死锁 LATCHUP 这种效应和 CMOS 器件内部的类似可控硅的结 构单元被激活有关高电压可激活这些结构形成大电流通道一般是从 VCC 到地串行接口器 件的锁死电流可高达 1 安培锁死电流会一直保持直到器件被断电不过到那时 IC 通常早已 因过热而烧毁了 ESD 冲击后可能存在两个不易被发现的问题一般用户和 IEC 测试机构使用 传统的环路反馈方法和插入方法进行测试通常检测不出这两个问题。 1 RS-232 接口电路中接收器对发送器产生交叉串扰 同类产品 RS-232 接口电路中的 ESD 保护结构可能对某种波形的 ESD 或某个 ESD 冲击电压失效经过 ESD 冲击后造成接收器输入端和发送器输出端之间形成通路从而导致接 收器对发送器产生交调图一如果RS-232 接口电路中有关断电路那么关断期间经过ESD 冲 击后更容易产生交调产生交调后将导致通信失败而且即使关断工作状态下发送器仍有输出 导致关断失效使对方 RS-232 处在接收状态。 倍于IEC1000-4-4标准的2kV 倍于IEC1000-4-4标准的2kV指标。在现实世界中，E ESD电流冲击内部电路ESD冲击金属屏蔽外壳时最初几毫秒会比 S-232接口电路输入端的电压在5V到25V之间使Vcc有可 早出现故障。当集成电路IC经受ESD时放电回路的电阻通常都很 2 RS-232 接口电路对电源产生反向驱动 某些 RS-232 接口电路中的 ESD 保护结构经过 ESD 冲击后可能在输入端与供电电源 Vcc 之间形成电流通路图二对其供电电源产生反向驱动如果供电电源没有吸入电流的能力 通常来讲电源输出回路里有一个正向二极管这将导致电源电压 Vcc 的增加从而损 坏 RS-232 接口电路和系统内的其它电路因为 RS-232 接口电路输入端的电压在 5V 到 25V 之间使 Vcc 有可能大于 9V 超出电源电压的最大范围而烧坏电路。 2 ESD 保护电路 ESD 的产生是当两个物体碰撞或分离时即静态电荷从一个物体移动到另一个物体所 以 ESD 最有效的保护是介质隔离是用绝缘介质把内部电路和外界隔离开 1mm 厚的普通塑 料如 PVC 聚酯或 ABS 能够保护 8KV 的 ESD 但是实际的介质不可能没有间隙和接缝所以 材料的蠕变和间隙距离非常重要 LCD 显示屏触摸屏等都有很厚的边角 12mm 隔离内部电 路。 ESD 保护