先进制造技术课件：微机械及微细加工技术 -.pptVIP

5.2.5 微细磨削 磨削加工主要是将砂轮和砂带表面上的磨粒近似看成微刃，整个砂轮可看成铣刀。 磨削加工微器件时需注意以下问题：磨粒在高速、高压和高温作用下会变钝，且切削能力下降；磨粒可能脱落，砂轮失去外形精度；选用磨粒材料时要求耐高温高压，常用的磨粒材料有人造金刚石。Weck 等采用金刚石作为磨具加工微结构，用于纤维定向排列的沟槽如图5-6所示。 5.2.5 微细磨削 5.2.6 MMP技术 MMP 微细加工技术(Micro-Machining Process)是世界著名的奢侈品公司，瑞士历峰集团下属子公司BinC 公司发明的一种专门用于对金属、非金属部件表面进行超精加工的全自动化处理技术。 5.2.6 MMP技术 MMP微细加工技术是一项完全创新的工艺，其技术秘诀在于能够有效地控制对被加工部件表面材料去除的位置及数量而不影响材料的质地和精度，可以选择性地修正部件表面上的微粗糙度布局，即通过机械、物理及辅助化学的互动工艺程序，有选择地去除在金属部件表面上1 至20 微米的材料。图5-7给出了MMP对表面的处理工程。 5.2.6 MMP技术 5.2.6 MMP技术 MMP的应用可分为两种。功能型应用：有选择的去除部分粗糙度，如工具，航空等；外观型应用：彻底去除粗糙度，如首饰、手表等。图5-8为MMP技术用于手表表面处理前后的对比图。 5.2.6 MMP技术 5.3 硅微细加工技术 概念：硅微细加工主要是指以硅材料为基础制作各种微机械零部件的技术。 分类：主要分为体硅微细加工和表面硅微细加工两大类。 5.3 硅微细加工技术 5.3.1 体硅微细加工 5.3.2 表面硅微细加工 5.3.3 键合技术 5.3.1 体硅微细加工 概念：体硅微细加工在微机械制造中应用最早，是以单晶硅为加工对象，主要通过光刻、腐蚀等技术在硅基上有选择性地去除部分材料，从而获得所需的微结构，如坑、凸台、带平面的孔洞等。 5.3.1 体硅微细加工 体硅微细加工技术： 1.光刻 2.腐蚀 光刻 由来：光刻源于微电子的集成电路制造，是芯片生产的关键技术。 光刻原理与印刷技术中的照相制版相似：在硅等基体材料上涂覆光致抗蚀剂(或称为光刻胶)，用照相复印的方法将光刻掩模上的图形印制在其上，然后进行选择性腐蚀，刻蚀出规定的图形。 所用的基材有各种金属、半导体和介质材料。光致抗蚀剂俗称光刻胶或感光剂，是一种经光照后能发生交联、分解或聚合等化学反应的高分子溶液。 光刻 光刻加工主要分为两个阶段： (1)光刻掩膜的制作：掩模的基本功能是当光束照在掩模上时，图形区和非图形区对光有不同的吸收和透过能力。理想的情况是图形区可让光完全透射过去，非图形区则将光完全吸收。目前较先进的制版技术一般采用CAD绘图，尔后在计算机控制下经电子束曝光机直接制作主掩模版，或计算机控制光学图形发生器制版。为提高掩模精度，当前绘图机→图形发生器→电子束曝光的流程正成为制造工艺向前发展的主流。 (2)光刻：基本过程见图5-9。 光刻 光刻 光刻基本过程详细介绍： 1 ) 涂胶：在基板上沉积成膜材料，并在涂胶机上用旋转法涂敷光刻胶。 2) 曝光：曝光通常有两种方法： ① 由光源发出的光束，经掩膜在光刻胶上成像，称为投影曝光。 ② 将光束聚焦形成细小束斑，通过扫描在光刻胶涂层上绘制图形，称为扫描曝光。 光刻 目前，微机械光刻采用的曝光技术主要有电子束曝光技术、离子束曝光技术、X射线曝光技术、远紫外曝光技术和紫外准分子激光曝光技术等。 其中，离子束曝光技术的分辨率最高，可达0.01μm；电子束曝光技术代表了最成熟的亚微米级曝光技术；而紫外准分子激光曝光技术则具有最佳的经济性，成为近年来发展速度极快且实用性较强的曝光技术，已在大批量生产中保持主导地位，其极限分辨率为0.2μm。几种曝光技术的比较如表5-1所示。 曝光技术的比较 光刻 3) 显影与烘片：曝光后的光刻胶在一定的溶剂中将曝光图形显示出来，称为显影。显影后进行200~250°C的高温处理，以提高光刻胶的强度，称为烘片。 4) 刻蚀：采用化学或物理方法，将没有光刻胶部分的氧化膜除去。常用的刻蚀方法有化学刻蚀、离子刻蚀、电解刻蚀等。 5) 去胶：用剥膜液去除光刻胶。剥膜后需进行水洗和干燥处理。 微机械及微细加工技术 前言5.1 微机械及微细加工概论5.2 微细切削加工5.3 硅微细加工技术 5.4 LIGA技术 5.5 纳米焊接技术 前言 本章学习目标 本章教学重点 导入案例 本章学习目标 掌握微机械与微细加工的定义及加工技术 掌握微细切削加工技术的原理、特点及应用 掌握硅微细加工技术 了解LIGA技术的特点及工艺过程 了解纳米焊接技术的原理及应用 本章教学重点 知识