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- 2023-11-25 发布于四川
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本公开涉及半导体领域，提供了一种硅光芯片及其制造方法。硅光芯片的制造方法包括：首先，形成激光器芯片，激光器芯片包括第一波导层。然后，形成转接板和波导结构；其中，波导结构位于转接板上，波导结构包括至少一个第二波导层。最后，通过混合键合方式，将激光器芯片键合到转接板上，使得第一波导层与第二波导层位于同一高度，且激光器芯片与波导结构之间存在间距。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117111213 A
(43)申请公布日 2023.11.24
(21)申请号 202311133351.5
(22)申请日 2023.09.01
(71)申请人 湖北江城芯片中试服务有限公司
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