(1.6.4)--4.4 位错的运动材料科学基础.pdfVIP

晶体缺陷 目 录 01 02 03 一、位错的易动性 位错周围原子错排 ，能量较高 ，活动能力较强 ，在切应力作用下原 子很容易位移 ，从而使位错向前移动。 当位错离开晶体 ，则晶体左侧表面形成一个b大小的台阶 ，同 时位错移动过的区域内 ，晶体的上部相对于下部也位移一个b。 位错滑移的比喻 地毯的挪动过程示意图 目 录 01 02 03 二、位错的滑移 位错在晶体中的运动有两种方式 ：滑移和攀移。 1. 位错的滑移 条件 ：位错滑移是在切应力作用下 ，当作用在滑移面上的切应力 分量达到一定值后 ，滑移才能进行。 （1 ）刃型位错的滑移过程 刃型位错滑移示意图 （2 ）螺型位错的滑移过程 螺型位错滑移示意图 （3 ）刃、螺型位错的滑移过程比较 刃位错的运动 螺位错的运动 a、特征差异 ： v 切应力方向不同 刃型 ：F⊥l ；螺型 ：F ∥l v 位错运动方向与晶体滑移方向关系 刃型 ：运动方向与滑移方向一致 ；螺型 ：运动方向与滑移方向垂直。 b、统一之处 ： 两者的滑移情况均与各自的b一致。 c、滑移面 v 位错线l 与b 组成的原子面称为位错的滑移面。 v 位错只能在滑移面上进行滑移运动。 刃型 ：l ⊥b ，滑移面只有一个 ，位错只能在这个面上滑移。 螺型 ：l ∥b ，滑移面有多个 ，具体在哪个面上运动取决于 该面上切应力的大小及滑移阻力的强弱。 （4 ）位错环的滑移 v A、B处为刃型位错 ，C、D处为螺型位错 ，其余各处为混合型位错。 v 正、负相反的位错在同一切应力作用下滑移方向相反 ，位错环沿着 法线方向向外扩张。当位错环逐渐扩大而离开晶体时 ，晶体上、下 部相对滑动了一个台阶 ，其方向和大小与b 相同。 v 位错环可以沿法线方向向外扩张而离开晶体 ；也可以反向缩小而消失。 目 录 01 02 03 三、位错的攀移 定义 ：在热缺陷或外力作用下 ，位错线在垂直其滑移面方向上的运动。 只有刃型位错才能攀移。 正攀移 ：多余半原子面向上运动 ； 负攀移 ：多余半原子面向上运动。 （a）正攀移 (b)未攀移 （c）负攀移 （半原子面缩短）