降低开孔难度的发光二极管及其制备方法.pdfVIP

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2023-11-25 发布于四川
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降低开孔难度的发光二极管及其制备方法.pdf

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本公开提供了一种降低开孔难度的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和钝化层；所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；所述第一半导体层具有第一导电类型，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型，所述有源层用于通过电子‑空穴复合产生光；所述钝化层靠近所述外延层的部分膜层的腐蚀速率高于所述钝化层远离所述外延层的部分膜层的腐蚀速率。本公开实施例能有效降低在钝化层上开设通孔的难度，提升开孔效率。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117117054 A (43)申请公布日 2023.11.24 (21)申请号 202311117733.9 (22)申请日 2023.08.31 (71)申请人华灿光电（苏州）有限公司地址