集成电路工艺第二章氧化.pptVIP

集成电路工艺第二章氧化;氧化工艺目的： 在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化是硅基集成电路的基础工艺之一 ; 氧化原理;加热器;氧化过程;氧化物生长速率;氧化物生长曲线;SiO2厚度大约600nm左右 固定电荷密度： （1～3）×1011/cm2 3、氧化剂在Si 表面与Si 反应生成SiO2 ，流密度为F3 。 B/A为线性速率系数、B为抛物线速率系数 掺杂效应：重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速率快 SiO2在集成电路中的用途 ■ 干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 保护层：保护器件以免划伤和离子沾污（热生长） 氧化层固定离子电荷和可动离子电荷的测量 B/A和B与温度、氧化剂浓度，反应室压力等因素有关。 ■ 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 影响二氧化硅生长的因素 可动电荷（主要是Na＋离子）密度： 2、氧化剂扩散穿过SiO2 层达到SiO2-Si界面，流密度为F2 。 注入缓冲层：减小离子注入损伤及沟道效应（热生长） 进片/出片（进出850℃温区的速度：5cm/分） 注入阻挡层：局部离子注入掺杂时，阻挡注入掺杂 氧化层厚度及其均匀性的测量;常规氧化工艺;常规氧化工艺;氢氧合成氧化工艺; 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 ;在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷：