摘要
摘要
氮化铝(AIN)是一种综合性能优异的新型陶瓷材料,其具有高热导率(320
W/mK)、良好的耐腐蚀性、高电阻率、高硬度和耐磨性,在电子电力、机车、航
空航天、国防、军工、通讯以及众多工业领域都具有广阔的应用前景和广泛的潜
在市场。在铝基体表面形成的A1N层不仅能有效地提高其耐磨性能,而且能够
拓展铝在半导体等电子行业的应用。传统制备氮化铝层的方法有直流反应磁控
溅射法、化学气相沉积、等离子喷涂法、等离子浸没离子注入法等,这些方法形
成的氮化
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