一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置.pdfVIP

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2023-11-29 发布于四川
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一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置.pdf

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本发明公开了一种可提升CVD单晶生长数目的单晶金刚石制造装置，涉及单晶金刚石制造技术领域，包括主体，所述主体内部设置有隔板，所述隔板将主体内部分割为内腔室和外腔室，所述隔板的上方活动安装有上盖板，所述上盖板的中部设置有输出管，所述输出管的下方设置有驱动盘，所述驱动盘内部设置有若干个安装槽，所述安装槽内部安装有载物台，其中一个所述载物台位于所述输出管的正下方。本发明通过相邻边板之间的位置变化，同时配合下方的驱动环，使籽晶在接受沉积过程中，边板对输出管机构、主体内壁、上盖板、中空板以及自身的清理效果

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117127258 A (43)申请公布日 2023.11.28 (21)申请号 202311109716.0 (22)申请日 2023.08.30 (71)申请人上海征世科技股份有限公司地址