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- 2023-11-29 发布于四川
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本发明公开了一种InGaN基绿光发光二极管外延片及其制备方法、LED，所述InGaN基绿光发光二极管外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型半导体层、应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层、P型半导体层；所述应力释放层包括依次层叠在所述N型半导体层上的第一多孔GaN层、第二多孔GaN层、多孔阱前InGaN/GaN超晶格层、阱前InGaN/GaN超晶格合并层。本发明提供的InGaN基绿光发光二极管外延片能够降低多量子阱发光层材料所受的应力和缺陷密度，提高多量子阱发光层的质量，使多量子阱发光层
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 117133841 A
(43)申请公布日 2023.11.28
(21)申请号 202311394101.7 H01L 33/32 (2010.01)
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