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硕士学位论文 三维芯片堆叠TSV 结构微凸点互连与铜 异构互连力学可靠性的模拟研究 作 者 姓 名 阳柄贤 学 科 专 业 材料科学与工程 指 导 教 师 张新平 教授 所 在 学 院 材料科学与工程学院 论文提交日期 20 2 2 年 5 月 6 日 万方数据 Simulation Studies of Mechanical Reliability of Micro-bump Interconnects and Cu Hybrid Bonding Interconnects in TSV Structure of 3D Chip Stacks A Thesis Submitted for the Degree of Master Candidate：Yang Bing-Xian Supervisor：Prof. Zhang Xin-Ping South China University of Technology Guangzhou, China 万方数据 分类号：TB31 学校代号：10561 学 号：201920119888 华南理工大学硕士学位论文 三维芯片堆叠TSV 结构微凸点互连与铜 异构互连力学可靠性的模拟研究 作者姓名：阳柄贤 指导教师姓名、职称：张新平 教授 申请学位级别：工学硕士 学科专业名称：材料科学与工程 研究方向：电子封装材料及可靠性 论文提交日期：2022 年5 月6 日 论文答辩日期：2022 年6 月1 日 学位授予单位：华南理工大学 学位授予日期： 年 月 日 答辩委员会成员： 主席： 彭继华 副教授 委员： 张宇鹏 高级工程师，马骁 副教授，曹姗姗 副教授，张新平 教授 万方数据 万方数据 摘 要 三维 （3D ）集成封装是目前提高集成电路芯片综合性能及控制成本的有效方案，其 中硅通孔 （TSV）、微凸点焊点及铜异构焊点是实现系统互连的关键部分。但3D 封装中 多材料、跨尺度和结构复杂的特点以及各材料热膨胀系数 （CTE ）不匹配问题对封装结 构的力学可靠性提出了严峻挑战。尤其是微凸点焊点形状和尺寸灵活多变以及在空间位 置上与TSV 紧密连接，致使微凸点焊点几何构型对TSV 挤出和自身疲劳寿命有明显的 影响而不可忽视。此外，铜异构互连工艺中芯片堆叠构型的多变性及设备精度引入的键 合对准偏差使得铜异构焊点存在值得关注的工艺可靠性问题。 本文研究基于有限元方法并辅以实验设计（DoE ）和代理模型，采用商业软件ANSYS Workbench 研究了高带宽存储器（HBM ）芯片堆叠层数以及是否存在底部填充胶 （UF ） 和界面金属化合物 （IMC ）对微凸点焊点热应力和疲劳寿命的影响；利用实验设计安排 有限元模拟，定量地研