1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种局部隧穿氧化钝化接触的TOPCon电池.pdfVIP

  • 11
  • 0
  • 约2.53万字
  • 约 14页
  • 2023-12-02 发布于四川
  • 举报

一种局部隧穿氧化钝化接触的TOPCon电池.pdf

    本发明公开了一种局部隧穿氧化钝化接触的TOPCon电池，涉及光伏电池领域，包括n型硅片、n型硅片的底端依次设置有第一隧穿层、n型掺杂多晶硅层以及背电极；n型硅片的顶部依次设置有p型掺杂单晶硅层、钝化层以及减反层；p型掺杂单晶硅层上设置有顶电极，背电极的材质为Ag，背电极的中轴线与n型掺杂多晶硅层的中轴线相重合，背电极的边缘距离n型掺杂多晶硅层的边缘30μm～50μm。本发明为一种局部隧穿氧化钝化接触的TOPCon电池，通过将正面地隧穿氧化钝化接触局部应用于顶电极处，从而减少了多晶硅对光的限制，同

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117153902 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202311278718.2 (22)申请日 2023.10.07 (71)申请人 西安千月电子科技

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >