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半导器件体物理 SEMICONDUCTOR DEVICES PHYSICS;第11章MOS晶体管基础;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应 亚阈值电导;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应;miiccoonndduuttoorr DDeevviiccee PPhhyyssiiccss 14;12.1 非理想效应;理想MOSFET 夹断前夹断后 漏端电流反比于沟道长度，考虑沟道调制效应;17;12.1 非理想效应 迁移率变化;载流子迁移率：与晶格散射和电离杂质散射有关 有效迁移率：在MOSFET中载流子的运动主要在表面反型层中，在栅极与衬底之间的电场导致载流子向表面加速，受到表面的散射，因此使反型层中载流子的迁移率降低，MOSFET反型层中载流子的平均迁移率称为有效迁移率;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应; 反型层电荷迁移率与横向电场的关系通常由实验测得。有效横向电场可由下式表示;12.1 非理想效应;12.1 非理想效应 速度饱和;12.1 非理想效应;速度饱和会改变这个条件。NMOS的Si器 件，当水平电场约为104V/cm时，速度饱和值为107cm/s.由于受速度饱和的影响 速度饱和会导致ID(sat)和