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hgcde材料在红外领域的应用

1hcgdte器件

1959年，皇家雷达科学研究院（royal雷达科学研究院）发布了关于将半金属hlte和宽间距半岛sdt合成为半金属hcgdte的报告。这篇论文报告了HgCdTe在12μm以下波长上的光导和光伏响应,并保守地认为,这种材料有希望成为本征红外探测器的制作材料。很快Honeywell共同研究中心就报道用一些不成熟的HgCdTe器件进行光导和光伏探测的情况。从那以后,经过四十多年的发展,HgCdTe已经成为制造中波和长波(3～30μm)红外光电探测器的最重要的半导体材料。由于具有良好的基本性能和可塑性,且随着x的取值不同,Hg1-xCdxTe的晶格参数几乎恒定不变,HgCdTe成为在Si和GaAs之后最重要的半导体之一。

2热解温度的影响

最早的HgCdTe器件采用的是体材料,在制作光导型器件和焦平面器件时,就需要通过减薄、抛光、刻蚀等许多步骤才能获得10μm左右的厚度,这个过程有可能影响材料的迁移率和寿命,且加工耗费时间,成品率不高,不利于大批量生产。如果采用膜材料,则以上操作就不需要了。目前常用金属有机物汽相沉积法(MOCVD)、液相外延法(LBE)和分子束外延法(MBE)来制备具有优良晶体和电学特性的HgCdTe薄膜材料。

1981年,有人首次报道了用金属有机物汽相沉积(MOCVD)法来生长HgCdTe薄膜。经过多年的发