双极型晶体管课件.pptxVIP

理想化的本征结构;2.4.1 直流放大原理;双极晶体管的两种形式：NPN和PNP;双极晶体管的结构和版图示意图;（2）实际结构和杂质分布;（3）偏置方式

正向放大：发射结正偏，集电结反偏反向放大：发射结反偏，集电结正偏截止状态：发射结反偏，集电结反偏饱和状态：发射结正偏，集电结正偏;（4）晶体管电路连接方式

根据公共端不同，分为三种：共基极、共射极、共集电极

共基极有助理解晶体管放大作用的物理过程，而共发射极具有较大的放大能力，应用较广。;2 直流电流传输过程;发射区向基区注入的电子远大于基区的平衡少子电子的数量，

，因此在发射结的基区一侧边界就有非平衡少子的积累，形成非平衡少子电子在基区的扩散运动。

扩散的电子一部分要在扩散过程中与基区的多子空穴复合。为此，基区宽度Wb必须比非平衡少子

在基区的扩散长度小得多，则电子在基区的复合就很少，大部分能够扩散到集电结。

晶体管用于放大时，集电结反偏，集电结在基区一侧边界处电子浓度基本为0，基区中非平衡少子呈线性分布，基区电子扩散到边;根据上述分析，在发射结正偏、集电结反偏时，晶体管内部的电流传输如图所示：;（1）发射效率与基区输运系数：

发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度

基区宽度尽量小，基区中非平衡少子的寿命尽量大。

注入效率?

基区输运系数β*;直流电流的理论表征;定量分析