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半导体物理学(刘恩科)第七版-课后题答案

半导体物理学(刘恩科)第七版-课后题答案全文共1页，当前为第1页。第一章习题

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1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：

Ec=

（1）禁带宽度;

导带底电子有效质量;

价带顶电子有效质量;

（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

解：（1）

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2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：得

补充题1

分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：

（a）(100)晶面（b）(110)晶面

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