电力电子器件特性第二章.ppt

电力电子技术;3．动态特性;3．动态特性;;;目录

2.1电力电子器件的特点与分类

2.2电力电子器件根底

2.3功率二极管

2.4晶闸管

2.5可关断晶闸管〔GTO〕

2.6电力晶体管

2.7功率场效应晶体管

根本结构和工作原理

功率MOSFET特性及主要参数

功率MOSFET的驱动

功率MOSFET的应用特点

2.8绝缘栅双极型晶体管

*2.9其它新型电力电子器件

2.10电力电子器件的开展趋势

2.11电力电子器件应用共性问题

小结;关断延迟时间、电压上升时间和电流下降时间之和为功率MOSFET的关断时间toff，即toff=td(off)+trv+tfi。

功率MOSFET是单极性器件，只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程非常迅速，开关时间在10-100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是常用电力电子器件中最高的。;4．主要参数

除前面已涉及到的跨导、开启电压以及开关过程中的时间参数外，功率MOSFET还有以下主要参数：

〔1〕通态电阻Ron

通态电阻Ron是影响最大输出功率的重要参数。Ron随ID的增加而增加，随UGS的升高而减小。

〔2〕漏极电压最大值UDSM

这是标称功率MOSFET电压额定的参数，为防止功率MOSFET发生雪崩击穿，实际工作中的漏极和源极两端的电压不允许超过漏极电压最大值UDSM。

〔3〕漏极电流最大值IDM

这是标称功率MOSFET电流额定的参数，实际工作中漏源极流过的电流应低于额定电流IDM的50%。

〔4〕栅源电压UGS

栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?20V将导致绝缘层击穿

?〔5〕极间电容

CGS、CGD和CDS;图2-30功率MOSFET的集成驱动芯片TLP250;目录

2.1电力电子器件的特点与分类

2.2电力电子器件根底

2.3功率二极管

2.4晶闸管

2.5可关断晶闸管〔GTO〕

2.6电力晶体管

2.7功率场效应晶体管

根本结构和工作原理

功率MOSFET特性及主要参数

功率MOSFET的驱动

功率MOSFET的应用特点

2.8绝缘栅双极型晶体管

*2.9其它新型电力电子器件

2.10电力电子器件的开展趋势

2.11电力电子器件应用共性问题

小结;目录

2.1电力电子器件的特点与分类

2.2电力电子器件根底

2.3功率二极管

2.4晶闸管

2.5可关断晶闸管〔GTO〕

2.6电力晶体管

2.7功率场效应晶体管

根本结构和工作原理

功率MOSFET特性及主要参数

功率MOSFET的驱动

功率MOSFET的应用特点

2.8绝缘栅双极型晶体管

*2.9其它新型电力电子器件

2.10电力电子器件的开展趋势

2.11电力电子器件应用共性问题

小结;目录

2.1电力电子器件的特点与分类

2.2电力电子器件根底

2.3功率二极管

2.4晶闸管

2.5可关断晶闸管〔GTO〕

2.6电力晶体管

2.7功率场效应晶体管

根本结构和工作原理

功率MOSFET特性及主要参数

功率MOSFET的驱动

功率MOSFET的应用特点

2.8绝缘栅双极型晶体管

*2.9其它新型电力电子器件

2.10电力电子器件的开展趋势

2.11电力电子器件应用共性问题

小结;GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

功率MOSFET的优点——单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。

两类器件取长补短结合而成的复合器件—Bi-MOS器件

1986年IGBT投入市场后，取代了GTR和一局部MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。

继续提高电压和电流容量，以期再取代GTO的地位。;图2-31IGBT的外形、简化等效电路和电气图形符号

a)外形b)简化等效电路c)电气图形符号;;;;图2-32IGBT的伏安特性;图2-32IGBT的伏安特性;;;;;3．主要参数

〔1〕最大集射极间电压UCEM

这是由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的，实际应用中应计算IGBT集射极两端的最大电压，并在选型时留有裕量。

〔2〕最大集电极电流

包括额定直流电流I