钝化接触太阳能电池的前世今生.pdfVIP

钝钝化化接接触触太太阳阳能能电电池池的的前前世世今今⽣⽣

摘摘要要：晶硅太阳能电池的表⾯钝化⼀直是设计和优化的重中之重从早期的仅有背电场钝化，

到正⾯氮化硅钝化，再到背⾯引⼊诸如氧化硅、氧化铝、氮化硅等介质层的钝化局部开孔接触

的PERC/PERL设计虽然这⼀结构暂时缓解了背⾯钝化的问题，但并未根除，开孔处的⾼复合

速率依然存在，⽽且使⼯艺进⼀步复杂近⼏年来，⼀种既能实现背⾯整⾯钝化，且⽆需开孔

接触的技术成为机构研究的热点，这就是钝化接触(PassivatedContact)技术当电池两⾯均采

⽤钝化接触时，还可能实现⽆需扩散PN结的选择性接触(SelectiveContact)电池结构本⽂将详

细介绍钝化接触技术的背景，特点及研究现状，并讨论如何使⽤这⼀技术实现选择性接触电

池

1表表⾯⾯钝钝化化的的演演进进

图图1太太阳阳能能电电池池表表⾯⾯钝钝化化结结构构的的演演进进

钝钝化化的的“史史前前时时代代”

在90年代之前晶硅电池商业化⽣产的早期，太阳能电池制造商已经开始采⽤丝⽹印刷技术，但

与我们如今使⽤的⼜有所不同主要的区别在于两点：⾸先当时的正⾯⽹印银浆没有烧穿(Fire-

through)这⼀功能，因此在当时的⽣产线上，需要先进⾏⽹印，⽽后沉积当时的Ti2减反射层

另⼀个区别在于当时的银浆与硅形成有效欧姆接触的能⼒较差，只有与⾼掺杂的硅才可以接触

良好由于Ti2没有很好的钝化功能，⼈们在当时并没有过多的考虑钝化⽽且由于减反射层

在⾦属电极之上，因此沉积的时候需要⽤模版遮挡主栅，以便后续的串焊

虽然这⼀时期，在实验室中，科研⼈员已经采⽤Si2钝化电池表⾯，并取得不俗的开路电压和

效率

SiNx:H第第⼀⼀次次进进化化

90年代，科研机构和制造商开始探索使⽤等离⼦体增强化学⽓相沉积(PECVD)技术制备含氢的

氮化硅(SiNx:H)薄膜⽤作电池正⾯的减反射膜其中原因之⼀在于相对合适的折射率，但更重要

的原因则在于氮化硅优良的的钝化效果氮化硅除了可以饱和表⾯悬挂键，降低界⾯态外，还

通过⾃⾝的正电荷，减少正⾯n型硅中的少⼦浓度，从⽽降低表⾯复合速率SiNx中携带的氢可

以在烧结的过程中扩散到硅⽚中，对发射极和硅⽚的内部晶体缺陷进⾏钝化，这对品质较低的

多晶硅⽚尤其有效，⼤幅提⾼了当时太阳能电池的效率

伴随着钝化材料上的创新，银浆材料与烧结⼯艺上的变⾰也同时到来，那就是可以烧穿的浆料

和共烧(Co-firing)烧结⼯艺有了烧穿特性后，可以先进⾏减反射膜的沉积，后⽹印浆料，然后

烧结由于顺序的颠倒，不⽤再担⼼⾦属栅线上覆盖的减反射层影响焊接，也省去了沉

积Ti2需要的部分遮挡同时⼈们发明了将正反⾯浆料⼀次烧结的共烧⼯艺，在⼀次烧结中，

正⾯的银浆穿过SiNx与硅形成接触，⽽背⾯的铝浆也同步形成背⾯电极和背电场(backsurface

field)这⼀系列改进⼤⼤简化了丝⽹印刷电池的⼯艺，并逐渐成为了晶硅电池⽣产的主流

AlOx第第⼆⼆次次进进化化

随着电池正⾯的钝化效果和接触性能由于SiNx的使⽤和银浆改进在不断提⾼，进⼀步优化正⾯

已经进⼊瓶颈阶段，⼈们把视线投向了另⼀个复合严重的区域，那就是电池的背表⾯虽然在

传统丝⽹印刷的晶硅电池中，铝背场可以减少少⼦浓度，减少复合，但仍然⽆法与使⽤介质层

带来的钝化效果相⽐较其实背⾯的介质层钝化也⾮新鲜话题，UNSW早在90年代就提出了发

射极和背⾯钝化(PERC)结构以及发射极和背⾯钝化局部扩散(PERL)结构，在早期设计中，这两

种结构都在背⾯采⽤氧化硅层钝化，局部开孔实现点接触以减少⾮钝化区域的⾯积两者的区

别在于是否在开⼝区域进⾏局部掺杂扩散，局部扩散增加⼯艺难度，但会形成局部背电场，减

少接触部分的复合速率但⾼品质氧化硅的⽣长需要较⾼的温度，对于已经经过⾼温扩散的硅

⽚来说，为减少对体少⼦寿命的影响，应尽量减少长时间的⾼温⼯艺，因此对其他材料的搜索

在2000年左右提上议事⽇程

既然SiNx已经在电池正⾯证明有诸多好处，那能否在背⾯继续使⽤这⼀材料呢答案是否定

的，上⾯已经提到，SiNx钝化的机制之⼀在于利⽤其正电荷减少正⾯n型区的少⼦浓度，可是到

了p型的背⾯，其正电荷将有可能在背⾯诱导形成⼀层n型反转层(inversionlayer)，这会造成背

⾯的旁路损失，影响电流，降低