一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法和应用.pdfVIP

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2023-12-13 发布于四川
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一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法和应用.pdf

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本发明公开了一种基于光铁电材料PFEP的忆阻器及其制备方法，其制备方法包括：选取导电玻璃并进行紫外处理，配制PFEP溶液，再将PFEP钙钛矿前驱体溶液旋涂在导电玻璃上，将Spiro‑OMeTAD分散液旋涂于钙钛矿层上，最后真空蒸镀惰性电极。本申请采用聚偏氟乙烯‑三氟乙烯（P（VDF‑TrFE））有机铁电材料作为添加剂，通过在CsFAMA钙钛矿前驱体中添加P(VDF‑TrFE)溶液，增强钙钛矿材料的光铁电性，提高钙钛矿薄膜质量和光电性能，进而研制新型神经形态元器件。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117222304A

(43)申请公布日2023.12.12

(21)申请号202311162863.4

(22)申请日2023.09.11

(71)申请人河南大学

地址475001

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