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模集复习笔记

By潇然

.6.20

I/V特征

I-V特征

跨导

定义：VGS对IDS控制能力（IDS对VGS改变灵敏度）饱和区跨导gm表示式：

2.线性电阻表示式

二级效应

体效应

γ为体效应系数，经典值0.3-0.4V-1/22.沟道长度调制效应

MOS器件模型

定义：信号相对于偏置工作点而言比较小、不会显著影响偏置工作点时用该模型简化计算由gm、gmb、rO等组成低频小信号模型，高频时还需加上CGS等寄生电容、寄生电阻

（接触孔电阻、导电层电阻等）

MOS小信号模型

①沟长调制效应引发输出电阻

②体效应跨导

完整MOSFET小信号模型

用于计算各节点时间常数、找出极点

放大器性能参数

AIC设计八边形法则

分别为：速度、功耗、增益、噪声、线性度、电压摆幅、电源电压、输入输出阻抗参数之间相互制约，设计时需要在这些参数间折衷

共源级

电阻负载

理想情况：

考虑沟长调制效应：

二极管接法MOS做负载

①NMOS二极管负载

存在体效应时阻抗：

忽略η随Vout改变时，增益只于W/L关于，与偏置电流、电压无关，线性度很

好。

②PMOS管负载

缺点：a.大增益需要极大器件尺寸

b.输出摆幅小

提升输出摆幅方法：加电流源

电流源做负载

深线性区MOS管做负载

带源极负反馈

①增益与跨导

伴随RS增大，Gm和增益都变为gm弱函数,提升了线性度；但以牺牲增益为代

价。

另外，能够经过以下方法简便计算：

Av=“在漏极节点看到电阻”/“在源极通路上看到电阻”

②输出电阻

源跟随器（共漏）

1.负载为Rs

负载为电流源

考虑rO和RL后增益（注意分析过程）

负载为理想电流源时输出电阻Ro

共栅级

不考虑沟长调制效应时增益

，体效应造成增益增加

输入阻抗

RD=0时，共栅级输入阻抗相当于源跟随器输出阻抗

，故在RD较小时，输入阻抗小

输出阻抗

计算结果同带源极负反馈共源级Rout，故输出阻抗很大

共源共栅级

增益（不考虑沟长调制）

（注意此处为约等于且结果为负，详细增益参考P71，

掌握方法即可）

输出阻抗

M2管将M1管输出阻抗提升为原来（gm2+gmb2）rO2倍；有利于实现高增益

其余性质：

①作理想电流源，代价：输出摆幅减小

②屏蔽特征：Vout端有ΔVout电压跳变时，表现在X点电压跳变很小，屏蔽了输出节点对输入管影响

折叠共源共栅

总结：

基本差动对

大信号差分特征

上式假定了M1、M2均工作在饱和区，然鹅

大信号共模特征

共模输入电平必须满足：

小信号差分特征

所以，当ΔVin为下值时跨导降为0：

，其表征放大器所允许最大输入差分信号

差模增益：

用叠加法、半电路法均可求全差分时差模增益，结论为：

①单边输入时差模增益为-gmRD

②差分输入时差模增益为-gmRD

③单边输入时单端输出增益为-gmRD/24.小信号共模特征

若电路完全对称，则流过M1和M2管直流电流总为ISS/2，不随Vin,CM改变而改变，所以，VX和VY不变；

非理想性包含：M1和M2之间有失配（W/L、VTH等），RD1和RD2之间有失配（阻值不完全相等等）；尾电流源ISS内阻RSS不是无穷大

①尾电流内阻非无穷大时

若电路完全对称，则VP会随Vin,CM改变而改变，造成尾电流改变，Vout1和Vout2会随之改变，但Vout1和Vout2总相等，故可短接，将M1、M2并联处理（注意此时跨导为2gm）

共模增益为：

②输入管失配对共模响应影响

共模到差模转换增益：

5.CMRR-共模抑制比

Common-ModeRejectionRatio，用来综合反应差分放大器性能

5.1基本电流镜

原理：利用输出电流与参考电流过驱动电压相同

IREF

??nCox

22

2

W

(L)1(VGS

?VTH)

(1??VDS1)

Iout

??nCox

22

2

W

(L)2(VGS

?VTH)

(1??VDS2)

Iout

所以IREF

?(W

(W

/L)2(1??VDS2)

/L)1(1??VDS1)

复制精度受工艺（宽长比）、沟长调制效应影响

5.3有源电流镜

密勒效应

假如上图1电路能够转换成图2电路，则

是在所关心频率下小信号增益，通常为简化计算，我们通惯用低频增益来代替AV，这么足能够使我们深入了解电路频

率