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一种用于观测MOSFET芯片元胞区样品的制备方法.pdfVIP

一种用于观测MOSFET芯片元胞区样品的制备方法.pdf

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    本发明公开了一种用于观测MOSFET芯片元胞区样品的制备方法，包括以下步骤：(1)、粘芯片：将废硅片通过石蜡粘附在MOSFET芯片的底面形成研磨组合体；(2)、研磨：将步骤(1)得到的研磨组合体放于切割研磨仪中，进行研磨；(3)、清理：将步骤(2)得到的研磨组合体，用压缩空气或洗耳球吹扫芯片截面；再进行加热烘干。(4)、烘干：将步骤(3)得到的研磨组合体放置到加热台上进行烘干。它制备简单，研磨效果好，方便后续观测。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117232922A

    (43)申请公布日2023.12.15

    (21)申请号202311189360.6

    (22)申请日2023.09.15

    (71)申请人浙江大学绍兴研究

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