《集成电路和半导体行业隔振系统设计及技术要求》编制说明求.docx

《集成电路和半导体行业隔振系统设计及技术要求》编制说明求.docx

2

《集成电路和半导体行业隔振系统设计及技术要求》

编制说明

一、工作简况

1.任务来源

本标准按照GB/T1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》起草;本标准由中国国际科技促进会标准化工作委员会提出。本标准由中国国际科技促进

会归口。编制工作由上海大学力学与工程科学学院等单位负责。

2.项目的重要性和必要性

低纳米制程光刻机作为民主复兴版图的重要一块,已经上升为国家的战略目标。研究表明,振动往往是制约光刻机向低纳米制程发展的重要因素,因此研究出高性能的隔振器,对低纳米制程光刻机的发展具有重要意义。为提高光刻环境的振动品质,以非线性主动隔振技术为核心的高性能隔振器应运而生,以期为低纳米制程光刻机的制成提供强有力的技术支撑。但是目前综合非线性隔振与主动控制技术等专利技术研究偏少。目前国内现行的集成电路隔振系统设计标准还不存在。编制《集成电路和半导体行业隔振系统设计及技术

要求》,可以有效弥补现有标准中隔振系统设计及技术要求的缺项。

3.相关标准

(1)GB2298-80机械振动、冲击名词术语

(2)GJB510-88无谐振峰隔振器总规范

(3)SJ42-77金属镀层和化学处理层的分类、特性、应用范围和标记

(4)SJ/Z2924-88振动冲击隔离系统优化设计技术导则

(5)SJ20436-1994机载电

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档