：单光子探测，门脉冲模式，雪崩光电二极管，半导体制冷，量子通信.docVIP

：单光子探测，门脉冲模式，雪崩光电二极管，半导体制冷，量子通信

摘要:使用InGaAs/InP雪崩光电二极管作为量子通信中的单光子探测器件，设计了单光子探测器的偏压成生电路、单光子信号放大电路、单光子信号检测电路及温度控制模块。通过选用高精度前置放大器OP37和精密比较器AD8561，以及更安全、更精确的单片温度控制器MAX1978，在一定程度上改善了探测系统的灵敏度。

关键词:单光子探测，门脉冲模式，雪崩光电二极管，半导体制冷，量子通信

式(1)中的雪崩倍增因子M达到无穷大。当有光子到达时，光生载流子通过碰撞电离引发雪崩而得到很高的增益(可达105,106)，产生雪崩效应，形成可测量的电脉冲[2]。APD的典型I-V特性曲线如图1。

图1APD的典型I-V特性曲线Fig.1TypicalI-VcharacteristicofAPDAPD发生雪崩后，为使雪崩效应停止，以保护器件，并尽快恢复到准备探测状态，以确保APD能有效接收下一个光子。必须将反向偏压降低至低于击穿电压，迅速地淬灭雪崩，此时要选择适当的抑制电路来熄灭雪崩和恢复APD的偏置电压。通常有三种方法用以控制雪崩淬灭和APD两端电压的恢复:无源抑制模式、有源抑制模式和门脉冲模式[3]。本文采用响应速度快、适合高速探测的门脉冲模式。2(APD偏压生成门脉冲模式传统的做法是将一个略低于雪崩击穿电压的常偏压加在APD两端，在光子到达APD的同时，在这个常偏压上再迭加一个脉冲电压，使加在APD上的电压幅值大于雪崩电压。这样单光子探测器只对门控脉冲以内的光子响应，而对门控脉冲以外的信号没有响应,雪崩电流在门脉冲之后得到了抑制，从而滤除门时间以外的杂散光子信号和热噪声的干扰，降低量子误码率[4]。我们设计的APD偏压电路如图2所示。式(1)中的雪崩倍增因子M达到无穷大。当有光子到达时，光生载流子通过碰撞电离引发雪崩而得到很高的增益(可达105,106)，产生雪崩效应，形成可测量的电脉冲[2]。APD的典型I-V特性曲线如图1。

图1APD的典型I-V特性曲线Fig.1TypicalI-VcharacteristicofAPDAPD发生雪崩后，为使雪崩效应停止，以保护器件，并尽快恢复到准备探测状态，以确保APD能有效接收下一个光子。必须将反向偏压降低至低于击穿电压，迅速地淬灭雪崩，此时要选择适当的抑制电路来熄灭雪崩和恢复APD的偏置电压。通常有三种方法用以控制雪崩淬灭和APD两端电压的恢复:无源抑制模式、有源抑制模式和门脉冲模式[3]。本文采用响应速度快、适合高速探测的门脉冲模式。2(APD偏压生成门脉冲模式传统的做法是将一个略低于雪崩击穿电压的常偏压加在APD两端，在光子到达APD的同时，在这个常偏压上再迭加一个脉冲电压，使加在APD上的电压幅值大于雪崩电压。这样单光子探测器只对门控脉冲以内的光子响应，而对门控脉冲以外的信号没有响应,雪崩电流在门脉冲之后得到了抑制，从而滤除门时间以外的杂散光子信号和热噪声的干扰，降低量子误码率[4]。我们设计的APD偏压电路如图2所示。

前置放大器量子通信用单光子探测器中，APD输出的信号极其微弱，提取的雪崩信号需要进行高增益放大。我们使用高精度宽带运算放大器OP37来实现前置放大。OP37具有开环电压增益高、输入偏置电压小、低漂移等优点，其频带宽度可达63MHz，通过对外电路元件参数的设计，可使放大器满足设计要求，我们在反馈网络并联适当大小的电容，消除高频脉冲尖峰，使放大器在20kHz,5MHz频带内增益起伏?1dB，从而获得平滑的频率特性[10]。前置放大电路如图4。

图中，C5、C101、C11、C103组成频率补偿电路，R11为调零电阻。C12、C102为电源的退耦电容，保持运放电源的稳定。R10为电压负反馈电阻，选择适当的阻值可得到所需的放大器增益。输出端加入R12作为限流电阻。当R71????????时，图4所示电路的输入电阻为:ri=R7//Ri?R7(4)其中Ri为OP37的输入电阻，当正常工作时，输出电阻为:ro=R12+R10

(5)放大器的增益为:Au=?R10R8(6)当R10=96kΩ，R8=1kΩ，时，Au=?961=?96倍??40dB输入f=10HZ，Vi=100mV的正弦信号时，测的放大器的输出电压Vomax=14.2V。放大器的最大电压增益为Av=VoVi=14.20.1=142??倍??满足放大80~100倍，输出电压达到0~5V之间的设计要求。5(单光子信号检测放大后的信号又叠加了放大电路的噪声，为了滤除噪声提取单光子信号，放大器的输出端需要采用高精度的电压比较器进行信号鉴别。通过设置合适的鉴别电平，滤去噪声，提取出