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  • 2023-12-24 发布于上海
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用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器.docx

《数字电子技术》研究性学习

用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器

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班 级: 通信1307指导老师:

时 间: 2015年12月1日

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目录

摘要 3

关键字3

正文 3

电路结构图及其原理 3

传输门3

与非门3

D触发器电路 4

电路工作原理仿真5

特征方程、特征表、激励表与状态图5

特征方程 5

特征表5

激励表 6

状态图 6

激励信号D的保持时间和时钟CP的最大频率 6

设计的D触发器转换成JK触发器和T触发器 8

D触发器转换为JK触发器 8

D触发器转换为T触发器 9

基于CMOS的D触发器芯片与基于TTL的D触发器芯片外特性比较分析 11

CMOSD触发器的应用——CD4013触摸开关13

总结14

总结14

感想14

参考文献15

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摘要:本文主要研究了用CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器。首先分析CMOS传输门和CMOS与非门原理;然后设计出CMOS传输门和CMOS非门设计边沿D触发器;阐述电路工作原理;写出特征方程,画出特征表,激励表与状态图;计算出激励信号D的保持时间和时钟CP的最大频率;将设计的D触发器转换成JK触发器和T触发器,最后对CMOS构成的D触发器进行辨证分析。

关键词:CMOS传输门;CMOS非门;边沿D触发器;

结构图以及功能

CMOS传输门

图1传输门的结构图

原理:所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOS管并联而成,如上图所示。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为0V到+5V。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏,故T2的衬底接+5V电压,而T1的衬底接地。

传输门的工作情况如下:当C端接低电压0V时T1的栅压即为0V,vI取0V到+5V范围内的任意值时,TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V,TP亦不导通。可见,当C端接低电压时,开关是断开的。为使开关接通,可将C端接高电压+5V。此时T1的栅压为+5V,vI在0V到+3V的范围内,TN导通。同时T2的棚压为-5V,vI在2V到+5V的范围内T2将导通。

由上分析可知,当vI<+3V时,仅有T1导通,而当vI>+3V时,仅有T2导通当vI在2V到

+3V的范围内,T1和T2两管均导通。进一步分析还可看到,一管导通的程度愈深,另一管的导通程度则相应地减小。换句话说,当一管的导通电阻减小,则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行,可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的优点。

CMOS与非门

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图2与非门的结构图

原理:CMOS与非门的组成如上图所示,其工作原理如下:

A=0,B=0时,T1、T2并联(ON),T3、T4串联(OFF),输出Y=1。A=0,B=1时,T1(OFF),T2(ON),T4(ON),T3(OFF),输出Y=1。A=1,B=0时,T1(ON),T2(OFF),T3(ON),T4(OFF),输出Y=1。A=1,B=1时,T1、T2并联(OFF),T3、T4串联(ON),输出Y=0。

因此构成与非的关系。

总体电路

图3D触发器结构图

原理:当CP′的上升沿到达(即CP′跳变为1,CP′下降为0)时,TG1截止,TG2导通,切断了D信号的输入,由于G1的输入电容存储效应,G1输入端电压不会立即消失,于是Q′、Q′在

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TG1截止前的状态被保存下来;同时由于TG3导通、TG4截止,主触发器的状态通过TG3和G3送到了输出端,使Q=Q′=D(CP上升沿到达时D的状态),而Q=Q′=D。

在CP′=1,CP′=0期间,Q=Q′=D,Q=Q′=D的状态一直不会改变,直到CP′下降沿到达时(即CP′跳变为0,CP′跳变为1),TG2、TG3又截止,TG1、TG4又导通,主触发器又开始接收D端新数据,从触发器维持已转换后的状态。可见,这种触发器的动作特点是输出端的状态转换发生在CP′的上升沿,而且触发器所保持的状态仅仅取决于CP′上升沿到达时的输入状态。正因为触发器输出端状态的转换发生在CP′的上升沿(即CP的上升沿),所以这是一个CP上升沿触发的边沿触发器,CP上升沿为有效触发沿,或称CP上升沿为有效沿(下降沿为无效沿)。若将四个传输门的控制信号CP′和CP′极性都换成相

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