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材料物理复习题

1.电导率：电阻率的倒数定义为电导率ζ，即：ζ=1/ρ。

2.离子电导：在离子晶体中，由于热缺陷或杂质的引入而形成的缺陷，

在电场作用下，脱离格点的填隙离子或空格点的正、负离子才能够在电场

的作用下做定向移动，参与导电过程。载流子是材料本身的本征离子或杂

质离子及其空格子。电子电导：主要是由杂质本身以及有杂质形成的各种

缺陷，特别是俘获了电子或空穴的各种缺陷在电场的作用下发生电离造成

的。

3.霍尔效应：霍尔效应的产生是由于电子在磁场作用下，产生横向移

动的结果，由于离子的质量比电子的大的多，磁场的作用力不足以使它产

生横向位移，因此纯离子电导不呈现霍尔效应。

4.本征电导：源于晶体中，运动的正负离子自身随热运动而离开晶格

形成热缺陷或晶体受热激发而产生可动电子和空穴，并且在电场作用下，

热缺陷或激发的电子和空穴能定向移动及电离，从而参与导电的过程。两

种载流子的浓度相等，电导率与温度有关。非本征电导(杂质电导)：是通

过引入外来杂质而产生缺陷（填隙离子或空格点的正负离子）或可动的电

子、空穴在电场作用下参与导电的过程。两种载流子的浓度不等，电导率

取决于杂质数量。

5.压电效应：在机械应力的作用下介质发生极化，形成晶体表面电荷

的效应。正压电效应：某些电解质在沿一定方向上受到外力的作用而变形

时，其内部会产生极化现象，同时在它的两个相对表面上出现正负相反的

电荷。当外力去掉后，它又会恢复到不带电的状态的现象。逆压电效应：

当作用力的方向改变时，电荷的极性也随之改变。相反，当在电介质的极

化方向上施加电场，这些电介质也会发生变形，电场去掉后，电介质的变

形随之消失的现象。

6.P型半导体：四价的本征半导体，掺入少量三价的杂质元素，形成

空穴半导体，称P型半导体。n型半导体：四价的本征半导体，掺入少量

五价的杂质元素，形成电子半导体，称n型半导体。

7.超导体：随着温度的降低，电阻率会逐渐降低。有些材料在冷却到

某一低温Tc时，材料的电阻变为零，电流可以在材料中无限的流动，材

料呈现超导状态，称此材料为超导体。

8.电介质四大基本参数：介电常数：以电极化的方式传递、存贮或记

录电的作用。电导：电介质在电场作用下存在泄露电流。介电损耗：电介

质在电场的作用下存在电能的损失。击穿：在强电场下可能导致电介质的

破坏。

9.极化：在外电场作用下，电介质内部产生感应偶极矩的现象。自发

极化：在无外电场作用的时候，晶体的正负电荷中心不重复而呈现电偶极

矩的现象。

10.偶极子：在电场作用下，正负束缚电荷只能在微观尺度上作相对

位移，不能作定向移动。正负束缚电荷的相对偏移产生感应偶极矩，正负

电荷形成一个偶极子。

11.极化率：单位局部电场强度下，质点电偶极矩的大小称为质点的

极化率х=p/Eε0表征材料的极化能力。

12.束缚电荷：在电介质中，原子，分子或离子中的正负电荷以共价

键或离子键的形式被相互强烈地束缚着，通常称为束缚电荷。

13.介电强度：介质材料在电场作用过程中，常因承受的超过一定数

值而失去绝缘能力，出现击穿现象。击穿时的电场强度称为介电强度或击

穿场强Eb。14.施主掺杂：通过引入高价金属离子或在晶格内形成氧空位

或填隙金属离子缺陷，在晶格周围产生剩余电子，被由高价金属离子或氧

空位或填隙金属离子所形成的正电中心所束缚，这种束缚是弱束缚，在导

带下面形成施主能级的掺杂形式。

受主掺杂：通过引入低价金属离子或形成金属离子空位缺陷，形成负

电中心，在价带顶部形成受主能级的掺杂形式。

15.薄膜：1）薄膜是两个几何学平面所夹的物质，即在二维空间拓展，

呈很薄的形态；2）薄膜的厚度，其尺寸范围从几个纳米到几十微米。薄

膜表面：薄膜可以看作是某、Y平面上无限的，在Z方向上距离很小，薄

膜在Z方向上与真空或者空气之间的面。薄膜界面：薄膜与薄膜之间，薄

膜与基片材料之间的分界面。

16.铁电体：具有自发极化且自发极化方向能随外场改变的晶体。介

电体：在电场作用下具有极化能力并在其中长期存在电场的一种物质，通

常不导电。热释电体：具有自发极化的晶体，但因受到表面电荷等补偿作

用，其电矩不能显现出来。只有当温度改变，电矩发生变化（电矩有异于

零的温度系数）不能被抵消时，才显现其固有的极化。

17.液晶：一些有机化合物和高分子聚合物，在一定温度或浓度的溶

液中，既具有液体的流