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半导体器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-12-23 发布于四川
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半导体器件及其制造方法.pdf

    本公开涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：第一存储器，其包括沿第一方向竖直地堆叠的第一电容器；以及第二存储器，其沿第二方向与第一存储器横向地间隔开并且包括沿第一方向竖直地堆叠的第二电容器。第一电容器可以包括铁电电容器，并且第二电容器可以包括顺电电容器。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117279389A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310325050.6

    (22)申请日2023.03.29

    (30)优先权数据

    10-2022-0075756

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