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一种GaN基外延结构及其生长方法.pdfVIP

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  • 2023-12-23 发布于四川
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一种GaN基外延结构及其生长方法.pdf

    本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种GaN基外延结构及其生长方法。该GaN基外延结构，包括依次生长于衬底的AlN层、buffer层、U型GaN层、N型GaN层、应力释放层和多量子阶有源区层，所述多量子阶有源区层上依次生长有低温P型GaN层、电流阻挡层和高温P型GaN层。该GaN基外延结构通过对GaN基外延结构中的电流阻挡层，进行Al和IN组分优化，形成分段式掺杂，该分段式掺杂的电流阻挡层不仅能抑制量子阱中位错的延伸，使得外延片的质量提高，而且还可有效的抑制电流的溢出，减少电子跃迁，达到了提

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117276433A

    (43)申请公布日2023.12.22

    (21)申请号202310959900.8H01L33/00(2010.01)

    (22)申请日2023.08.

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