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缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运特性影响的研究的开题报告

一、研究背景与意义

单壁碳纳米管和石墨烯是目前发展最快、研究最广的二维材料之一，它们在电子输运领域表现出了独特的性质和应用，被认为有望成为下一代纳米电子器件的重要组成部分。然而，这些材料中存在着各种缺陷，例如边缘缺陷、点缺陷、线缺陷等，这些缺陷对其电子输运的特性产生了重要影响。因此，研究缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运特性的影响具有重要的理论意义和实际应用价值。

二、研究内容

本文拟从以下两个方面研究缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯电子输运特性的影响：

1.缺陷对电子结构的影响

单壁碳纳米管和石墨烯的电子结构对其电子输运性质具有重要影响。缺陷会改变这些材料的电子结构，进而影响其电子输运。因此，本文将研究不同类型的缺陷对这些材料的电子结构的影响，并分析其对电子输运的影响。

2.缺陷对电子输运的影响

缺陷不仅会影响材料的电子结构，还会影响材料的电子输运性质。本文将采用第一性原理计算方法，研究不同类型的缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯的电子输运性质的影响。同时，本文还将探索如何通过调控缺陷来改善这些材料的电子输运性能。

三、研究方法

本文将采用第一性原理计算方法，结合密度泛函理论和非平衡格林函数方法，研究不同类型的缺陷对单壁碳纳米管和石墨烯的电子结构和输运性质的影响。具体地，我们将采用VASP软件包进行计算，并使用Wannier90软件包