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场效应管分类与特点课件

目录场效应管简介N沟道场效应管P沟道场效应管绝缘栅双极晶体管（IGBT）场效应管的选择与使用

场效应管简介01

电场效应：是指外加电场改变半导体材料的导电性能，从而控制半导体的导通和截止。场效应管（Field-EffectTransistor，简称FET）：是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。场效应管定义

1925年1947年贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿发明了晶体管，并提出了场效应管的概念。1952年英国科学家达默发明了结型场效应管（JFET）。贝尔实验室的江崎发明了晶体管，为场效应管的发明奠定了基础。1953年贝尔实验室的肖克利和皮尔兹发明了金属氧化物半导体