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应变硅MOS器件的应变特性的开题报告

一、选题背景与意义

随着集成电路制造工艺的不断发展和进步，制备高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）成为了研究的热点。在现代集成电路中，速度和功耗的需求越来越高，这要求MOSFET必须具有更好的导电性能和更快的开关速度。应变硅MOS器件是一种通过在硅表面引入应变电场来增强器件性能的一种技术，被认为是未来高性能集成电路的发展方向。

应变硅MOS器件具有以下优点：

1.可以提高电流驱动能力；

2.可以提高开关速度；

3.可以降低功耗。

因此，对应变硅MOS器件的应变特性进行研究，对于开发高性能的集成电路具有重要的意义。

二、研究内容

本研究的主要内容是探究应变硅MOS器件的应变特性，包括以下方面：

1.应变硅MOS器件的制备工艺研究；

2.应变硅MOS器件的应变特性研究；

3.应变硅MOS器件的电性能研究；

4.基于应变硅MOS器件的半导体器件设计。

三、研究方法

本研究采用以下方法进行研究：

1.利用半导体器件制备技术制备应变硅MOS器件；

2.利用应变测试仪进行应变特性测试；

3.利用半导体器件测试仪进行电性能测试；

4.利用半导体器件设计软件进行半导体器件设计。

四、预期结果与创新性

本研究预期可以得到以下结果：

1.探究应变硅MOS器件的应变特性；

2.分析应变硅MOS器件的电性能；

3.设计基于应变硅MOS器件的高性能半导体器件；

4.推广应变硅MOS器件在集成电路中的应用。

此研究的创新性在于：研究应变硅MOS器件的实际应用，旨在解决高性能集成电路的制造难题，具有一定的理论研究和实际应用价值。