磁控溅射法制备硅基薄膜的结构与性质研究的开题报告.docxVIP

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磁控溅射法制备硅基薄膜的结构与性质研究的开题报告

开题报告

磁控溅射法制备硅基薄膜的结构与性质研究

一、研究背景和意义

近年来,硅基薄膜在光电子学、纳米电子学、微电子学等领域得到了广泛应用。例如,在太阳能电池、液晶显示器、智能手机屏幕等方面都有重要应用。磁控溅射法是一种广泛应用于硅基薄膜制备的方法。通过对硅基薄膜的结构与性质进行研究,可以掌握硅基薄膜的制备技术和应用特性,进一步提高硅基薄膜的制备效率和性能。

二、研究内容

本研究将采用磁控溅射法制备硅基薄膜,并对薄膜特性进行研究。具体研究内容如下:

(1)硅基薄膜的制备技术:确定磁控溅射法的制备参数,如气体流量、压强、功率等。

(2)硅基薄膜的结构研究:采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜等测试手段对硅基薄膜的结构特性进行分析研究。

(3)硅基薄膜的性质研究:对硅基薄膜的光学特性、电学特性、力学特性等进行测试分析,并通过相关理论模型进行验证和分析。

三、研究计划和进度安排

本研究计划分为以下几个阶段:

第一阶段:文献调研和研究方法确定。2022年3月-2022年5月。

第二阶段:硅基薄膜制备及其结构研究实验。2022年6月-2022年9月。

第三阶段:硅基薄膜性质研究实验。2022年10月-2023年2月。

第四阶段:数据分析与处理。2023年3月-2023年6月。

第五阶段:论文撰写和答辩准备。2023年7月-2023年10月。

四、参考文献

[1]K.Yousaf,T.Jamil,M.Arab,etal.Influenceofradiofrequencypoweronstructural,opticalandelectricalpropertiesofAl-dopedZnOthinfilmssynthesizedbyD.C.magnetronsputtering[J].ThinSolidFilms,2017:768-772.

[2]T.Henning,A.Petrikowski,M.Bittner,etal.Growthandpropertiesofepitaxialsiliconlayerson(100)siliconsubstratessputteredinhydrogenatmosphere[J].ThinSolidFilms,2015:30-33.

[3]W.Funada,T.Mogi,T.Asano,etal.Depositionofsiliconthinfilmbyusinginternalnitrogen-dilutiongassystemformicroelectromechanicalsystemsapplications[J].ThinSolidFilms,2018:416-420.

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