半导体器件物理复习文档.docVIP

PPT复习内容

2.突变结：P区和N区之间的杂质分布变化陡峭的PN结。

3.线性缓变结：P区和N区之间的杂质分布变化比较缓慢，可看成是线性变化的PN结。

4.单边突变结：PN结一侧的掺杂浓度比另一侧的高得多，表示为P+N或PN+。

5.2.空间耗尽区（也即空间电荷区），耗尽层近似；

耗尽近似是对实际电荷分布的理想近似，包含两个含义：

（1）在冶金结附近区域，-xpxxn,与净杂质浓度相比，载流子浓度可忽略不计

（2）耗尽区以外的电荷密度处处为0。

6.正向注入（扩散），反向抽取（漂移）

正偏时：扩散流大于漂移流，n区电子扩散到p区（-xp)处积累成为p区的少子；p区的空穴扩散到n区的（xn）处积累成为n区的少子。这一过程称为正向注入。

反偏时：p区的电子漂移到n区，n区的空穴漂移到p区，这一过程称为反向抽取

7.4.变容二极管，肖特基二极管，隧道二极管，长二极管，短二极管

（1）工作在反偏状态下的二极管，势垒电容随反偏电压的增加

而减小，称为变容二极管

（2）金属和半导体形成整流接触时具有正向导通，反向截止的

作用，称作肖特基二极管

（3）n区和p区都为简并掺杂的pn结称为隧道二极管

（4）pn结的p区和n区准中性区域的宽度远大于扩散长度时，

则称这个二极管为长二极管

（5）pn结轻掺杂一侧的准中性区域的宽度与扩散长度同数量级

或更小时，则称这个二极管为窄基区二极管或短二极管

8. 势垒电容Cj：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化（结电容或耗尽层电容）二极管的反向偏置结电容随反向电压的增加而减小

扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时，有少子的注入，并积累电荷，它也随外电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电压的变化所产生的电容效应。

9.电荷存储和反向恢复时间：正偏时，电子从n区注入到p区，空穴从p区注入到n区，在耗尽层边界有少子的积累。导致p-n结内有等量的过剩电子和空穴-电荷的存储。

突然反向时，这些存储电荷不能立即去除，消除存储的电荷有两种途径：复合和漂移。都需要经过一定时间ts,p-n结才能达到反偏状态，这个时间为反向恢复时间

10、真空能级E0:电子完全脱离材料本身的束缚所需的最小能量

功函数：从费米能级到真空能级的能量差

电子亲和势：真空能级到价带底的能量差

11.一、基本概念

1.制备三极管的基本要求及原因

必需满足的两个基本条件：

基区宽度远远小于少子扩散长度,：目的是使三极管有更大的基区输运系数，从而提高放大系数.另外基区做的很薄，可以减少载流子的基区渡越时间，提高三极管的特征频率

NENBNC：目的是使三极管有更大的发射效率，从而提高放大系

2.发射效率，基区输运系数

发射效率：发射区的多子扩散到基区形成的电流分量与流过发射极的总电流的比值。

.基区输运系数：发射区多子扩散到基区，又穿过基区到达集电区形成的电流分量与发射区多子扩散到基区形成的电流分量的比值。

3.共基极电流放大系数和共发射极电流放大系数

4.基区宽度调制效应和基区穿通

基区宽度调制效应：基区准中性宽度随外加电压VBE和VBC的变化而变化的现象。

基区击穿/穿通电压：若在发生雪崩击穿之前集电结的空间电荷层到达了发射结，则晶体管穿通，这个击穿电压就叫做穿通电压，过程即为基区穿通。

发射极电流集边效应

电流集边效应：注入电流向发射结边缘集中的现象称为发射极电流集边效应。

ICBO、ICEO、VCBO、VCEO的物理意义及相互关系，如何用晶体管图示仪测量

ICBO的物理意义：三极管的发射极开路时，CB结反偏时，流过CB的反向饱和电流。

VCBO的物理意义：三极管的发射极开路时，能加在集电极-基极间的最大反向电压，即CB端的击穿电压。

7.三极管的四种偏置模式

也就是说，放大时发射级正偏

8.四种偏置模式下各区少子的分布图

12.MOSFET复习内容

一、基本概念

1.场效应

场效应：导电沟道的电导受控于栅极偏压。

2.沟道和沟道电荷

沟道：当外加的栅电压足够时，形成耗尽层并在SiO2下开始积累电荷形成反型层，这电荷连接了漏极和源极而导通，这就是沟道。

.沟道电荷：半导体表面反型层中的反型层中的反型载流子（少子）电荷。

3.理想MOS结构的基本假设

1.理想MOS结构基于以下假设：

（1）在氧化物中或在氧化物和半导体之间的界面上不存在电荷。

（2）金属和半导体之间的功函数差为零.

（3）SiO2层是良好的绝缘体，能阻挡直流电流流过。因此，即使

有外加电压，表面空间电荷区也处于热平衡状态，这使得整

个表面空间电荷区中费米能级为常数。

功函数：从费米能级到