二氧化钛光催化的机理及应用.pptVIP

关于二氧化钛光催化的机理及应用第1页，讲稿共26页，2023年5月2日，星期三的光催化原理影响光催化效率的因素光催化剂的局限性及掺杂改性光催化剂的应用总结主要内容第2页，讲稿共26页，2023年5月2日，星期三半导体的能带结构通常是由一个充满电子的低能价带(valentband,VB)和一个空的高能导带(conductionband,CB)构成，价带和导带之间的区域称为禁带，区域的大小称为禁带宽度。半导体的禁带宽度一般为0.2～3.0eV，是一个不连续区域。半导体的光催化特性就是由它的特殊能带结构所决定的。当用能量等于或大于半导体带隙能的光波辐射半导体光催化剂时，处于价带上的电子(e-)就会被激发到导带上并在电场作用下迁移到粒子表面，于是在价带上形成了空穴(h+)，从而产生了具有高活性的空穴/电子对。空穴可以夺取半导体表面被吸附物质或溶剂中的电子，使原本不吸光的物质被激活并被氧化，电子受体通过接受表面的电子而被还原。光催化基本原理第3页，讲稿共26页，2023年5月2日，星期三TiO2的光催化原理TiO2光催化反应机理TiO2属于一种n型半导体材料,TiO2的禁带宽度为3.2eV,当它受到波长小于或等于387.5nm的光线照射时,价带中的电子就会被激发到导带上,形成带负电的高活性电子e-,同时在价带上产生带正电