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变形镁合金的静态再结晶

保温时1闰对静态再结晶的影响。

在热处理过程中，温度是静态再结品过程的主要影响因素之一。静态再结品是一个伴随热过程的新晶粒的形核与长大的过程，它以晶粒之间的位错密度差作为驱动力，驱动力取决于位错密度和其分布。静态再结品的形核一般发生在位错数量多并且密集处。任何形核机制的形核率及晶核长大的速度均与位错运动能力有关。温度越低，位错通过运动实现重组就越困难，静态再结晶过程也就越难以进行：温度的升高会加速合金中原子的热振动和扩散速率，位错节点脱铀、位错的蓉移、滑移及交滑移等也就越容易进行，同时形核率和晶界迁移能力也随之增大平故在一定温度范围内，随着温度的升高，镁合金的静态再结晶过程就越容易进行。

由经验公式知合金的再结晶温度为：T泽＝（OA---0.9) T,,,,（儿为材料熔点）而再结

晶退火温度一般比上述温度高100 200[Il).,AZ31B镁合金的T孔E650C左右 }根据上

式计算得出再结晶退火的杂低温度为196.2它。

由文献[12]的实验结果知，轧制态AZ31镁合金在150，过C,不同时间下进行热处理得到的金属微观组织和原始材料的金相显微组织基本没有差别，硬度值也非常接近，基本

上没有发生再结晶，而在200.C.

时开始静态再结晶，这正好与上面提到的经验公式符合；

由文献[l3]知，4.00C以上时，轧制态AZ31镁合金的晶粒迅速长大了在450C时晶粒剧烈长大，因此，在本实验中热处理的温度范围选择为2ooc oot;。

在热处理过程中，时间也是静态再结晶的主要影响因素之—，随着保温时间的延长，再结晶就会进行的更充分，直到再结晶过程完全结束。由文献[14]知,.在200保温60min后，AZ31B镁合金开始静态再结晶；400时，5min后晶粒开始长大；因此，在本实验中，保温时间的选择范围为1.5min~60m_inI)

3.2热处理实验中温度和时间对晶粒尺寸的影响

在热处理中，温度和时间是影响合金组织与性能的重要参数，在这个过程中，温度和时间相互影响、共同作用。温度较低时，完成再结晶过程需要的时间就长，随着温度的升高，完成再结晶过程需要的时间就越来越短。下面通过实验讨论温度和时间对热处理中静态再结品过程的影响。

图3-1为挤压态AZ31B镁合金原始金相组织，由图可知在挤压变形状态下的原始金相组织很不均匀，并且大多数晶粒粗大，平均品粒尺寸为208μm左右。

图3-l原始试样显微组织

Fig.3-ETheMicrostructure,oforiginalsample

匕～1，t11蛐图3...2是AZ3IB镁合金在2OOC时不同保溫时间下热处理试样的金相显微组织..由图a、b、c可知，品粒大小跟原始试样晶粒大小相似，并没有发现有静态再结晶晶粒的生成，是再结晶的孕育期；从图d中可以看出，部分细小的再结品品粒生成，说明静态再结品已经开始，但由于温度比较低，再结晶进行得较缓慢。综上可知，在低温时，静态再结晶的孕育过程是一个缓慢的过程，需要较长的保温时间：且静态再结晶晶粒的整个

匕～1，t1

1蛐

图3-2温度为2OO它，不同保温时间时试样的显微组织

Fig.32Them.icroslmc:tureof-di行e:Jientholdingtimes.atannealingtemperatureof200它

图3,3是AZ31B镁合金在250C时不同保温时间下热处理试样的金相显微组织。由图a可知，保温时间为15min时，晶粒大小跟原始试样晶粒大小相似，，没有发现静态再

结晶晶粒的生成，是静态再结晶的孕育期；由图b、c可知，在2-50C、30mm及45m:in时在原始的大晶粒周围出现部分细小的等轴晶粒，因此可以确定此时已经发生了静态再结晶；由图d可知，在250-C、60min时，静态再结晶晶粒明显培多，但仍有不少原

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图3-3温度为250它，不同保温时间时试样的显微组织

Fig.3JThemicr邓trucrureofdifferentholdingtimesat印nealingtemperatureof250它

图3-4是Az:JIB镁合金在300C时不同保温时间下热处理试样的显微组织。由图a可知，与在250.C，不同保温时间下的金相组织相比，