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电子行业动态跟踪——HBM需求大幅增加，看好先进封装及设备材料产业链

HBM需求大幅增加，看好先进封装及设备材料产业链

HBM（HighBandwidthMemory）意为高带宽存储器，是一种面向需要极高吞吐量的数据密集

型应用程序的DRAM，HBM的作用类似于数据的“中转站”，就是将使用的每一帧，每一幅图像

等图像数据保存到帧缓存区中，等待GPU调用。HBM通过使用先进的封装方法（如TSV硅通孔

技术）垂直堆叠多个DRAM，与GPU通过中介层互联封装在一起，在较小的物理空间里实现高

容量、高带宽、低延时与低功耗，已成为数据中心新一代内存解决方案。

图1：HBM示意图

数据来源：AMD、东方证券研究所

HBM在带宽、功耗、封装体积方面具备明显优势。按照不同应用场景，行业标准组织JEDEC将

DRAM分为三个类型：标准DDR、移动DDR以及图形DDR，图形DDR中包括GDDR和HBM。

相比于标准的DDR4、DDR5等产品，以GDDR和HBM为代表的图形DDR具备更高的带宽，其

中HBM在实现更大带宽的同时也具备更小的功耗和封装尺寸。

图2：HBM在带宽和功耗方面具备显著优势图3：不同类别DRAM产品技术指标对比

参数DDR4DDR5GDDR6HBM

中高最高

带宽（Gbps）高(576)

(204)(409)(2400）

速率（Gbps）3.26.4182/2.4

颗粒/组合位宽

6464321024

（bits）

系统设计难度简单适中高最高

能耗比

6582

（mW/Gbps）

使用总成本低适中高最高