《SiC MOSFET阈值电压测试方法》-征求意见稿.docx

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SiCMOSFET阈值电压测试方法

1范围

本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法。

本文件的测试方法适用于平面结构的SiCMOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测试条件。

2规范性参考文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

JEP183SiCMOSFET的阈值电压(VT)测量指南

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

3.1

漏源电压drain-sourcevoltage

Vds被测器件漏极和源极之间的电压。

3.2

栅源电压gate-sourcevoltage

Vgs被测器件栅极和源极之间的电压。

3.3

阈值电压gate-sourcevoltage

VT通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压。

3.4

漏源电流drain-sourcecurrent

Ids被测器件漏极和源极之间的电流。

3.5

阈值电压测量时间VTmeasurementtime

t_VT测量阈值电压的时间。

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